SKM195GAR063DN IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SKM195GAR063DN
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 830 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 260 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.1 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 85 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 1250 pF
Encapsulados: MODULE
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SKM195GAR063DN datasheet
skm195gal062d skm195gb062d.pdf
SEMITRANS M Absolute Maximum Ratings Values PT-IGBT Modules Symbol Conditions 1) Units VCES 600 V VCGR RGE = 20 k 600 V SKM 195 GB 062 D IC Tcase = 25/60 C 230 / 195 A SKM 195 GAL 062 D 6) ICM Tcase = 25/60 C; tp = 1 ms 460 / 390 A VGES 20 V Ptot per IGBT, Tcase = 25 C 700 W Tj, (Tstg) 40 ... +150 (125) C Visol AC, 1 min. 2 500 V humidity DIN 40 040 Class F cl
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History: NCE40TD120BT | STGB8NC60K | MPBW25N120B | IXXH50N60B3 | BG150B12UY3-I | SME6G30US60 | JT075K120F2MA1E
History: NCE40TD120BT | STGB8NC60K | MPBW25N120B | IXXH50N60B3 | BG150B12UY3-I | SME6G30US60 | JT075K120F2MA1E
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IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
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