SKM195GAR063DN Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: SKM195GAR063DN
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 830 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 260 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.1 V @25℃
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 85 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 1250 pF
Тип корпуса: MODULE
- подбор IGBT транзистора по параметрам
SKM195GAR063DN Datasheet (PDF)
skm195gal062d skm195gb062d.pdf
SEMITRANS MAbsolute Maximum RatingsValuesPT-IGBT ModulesSymbol Conditions 1)UnitsVCES 600 VVCGR RGE = 20 k 600 V SKM 195 GB 062 DIC Tcase = 25/60 C 230 / 195 ASKM 195 GAL 062 D 6)ICM Tcase = 25/60 C; tp = 1 ms 460 / 390 AVGES 20 VPtot per IGBT, Tcase = 25 C 700 WTj, (Tstg) 40 ... +150 (125) CVisol AC, 1 min. 2 500 Vhumidity DIN 40 040 Class Fcl
Другие IGBT... SKM150GB123D , SKM150GB124D , SKM150GB125D , SKM150GB173D , SKM150GB174D , SKM195GAL062D , SKM195GAL063DN , SKM195GAL124DN , RJP6065DPM , SKM195GB062D , SKM195GB063DN , SKM195GB124DN , SKM200GA123D , SKM200GAL123D , SKM200GAL173D , SKM200GAR123D , SKM200GAR173D .
History: MMG15CB120XB6TC | IXGH30N60B | NGTB50N120FL2WG | IRG4BC30UD | IKW50N65WR5 | IRG7PH35UD1M
History: MMG15CB120XB6TC | IXGH30N60B | NGTB50N120FL2WG | IRG4BC30UD | IKW50N65WR5 | IRG7PH35UD1M
Список транзисторов
Обновления
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
Popular searches
irf9640 | 2n3053 | a1015 | mpsa42 | 2n5551 transistor | a1015 transistor | c945 | ac128 transistor