75333S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: 75333S
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 111 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 56 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1300 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.016 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263AB

Búsqueda de reemplazo de MOSFET 75333S

75333S Datasheet (PDF)

0.1. Size:233K fairchild semi
hufa75333p3 hufa75333s3s hufa75333s3st.pdf

HUFA75333G3, HUFA75333P3, HUFA75333S3SData Sheet December 200166A, 55V, 0.016 Ohm. N-Channel UltraFET FeaturesPower MOSFETs 66A, 55VThese N-Channel power MOSFETs Simulation Modelsare manufactured using the - Temperature Compensated PSPICE and SABER innovative UltraFET process. This Modelsadvanced process technology - SPICE and SABER Thermal Impedance Models

0.2. Size:331K fairchild semi
huf75333g3 huf75333p3 huf75333s3s huf75333s3.pdf

HUF75333G3, HUF75333P3, HUF75333S3S,HUF75333S3Data Sheet December 200166A, 55V, 0.016 Ohm. N-Channel UltraFET FeaturesPower MOSFETs 66A, 55VThese N-Channel power MOSFETs Simulation Modelsare manufactured using the - Temperature Compensated PSPICE and SABER innovative UltraFET process. This Modelsadvanced process technology - SPICE and SABER Thermal Impeda

Otros transistores... 75321D3 , 75321P , 75321S , 75329G , 75329P , 75329S , 75333G , 75333P , IRFP460 , 75339G , 75339P , 75339S , 7N50A , A498 , ALD1101APA , ALD1101BPA , ALD1101DA .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: