BUK9907-55ATE Todos los transistores

 

BUK9907-55ATE MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BUK9907-55ATE
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 272 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 15 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 75 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0062 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO2205
     - Selección de transistores por parámetros

 

BUK9907-55ATE Datasheet (PDF)

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BUK9907-55ATE

BUK91/9907-55ATETrenchPLUS logic level FETRev. 01 7 February 2002 Product data1. DescriptionN-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic package usingTrenchMOS technology, featuring very low on state resistance and TrenchPLUSdiodes for clamping, ElectroStatic Discharge (ESD) protection and temperaturesensing.Product availability:BUK9107-55ATE in

 6.1. Size:355K  philips
 buk9907-40atc.pdf pdf_icon

BUK9907-55ATE

BUK9907-40ATCTrenchPLUS logic level FETRev. 01 28 January 2002 Product dataM3D7451. DescriptionN-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic package usingTrenchMOS technology, featuring very low on-state resistance and TrenchPLUSdiodes for clamping, ElectroStatic Discharge (ESD) protection and temperaturesensing.Product availability:BUK9907-40A

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History: IXTP50N28T | 3SK249

 

 
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