75339G MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

75339G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 75339G

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 124 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 55 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 75 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2000 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.012 Ohm

Encapsulados: TO247

Búsqueda de reemplazo de 75339G MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

75339G datasheet

0.1. Size:226K fairchild semi
hufa75339g3 hufa75339s3s hufa75339s3st.pdf pdf_icon

HUFA75339G3, HUFA75339P3, HUFA75339S3S Data Sheet December 2001 75A, 55V, 0.012 Ohm, N-Channel UltraFET Features Power MOSFETs 75A, 55V These N-Channel power MOSFETs Simulation Models are manufactured using the - Temperature Compensated PSPICE and SABER innovative UltraFET process. This Models advanced process technology - SPICE and SABER Thermal Impedance Models

0.2. Size:308K fairchild semi
huf75339g3 huf75339p3 huf75339s3s.pdf pdf_icon

HUF75339G3, HUF75339P3, HUF75339S3S Data Sheet December 2001 75A, 55V, 0.012 Ohm, N-Channel UltraFET Features Power MOSFETs 75A, 55V These N-Channel power MOSFETs Simulation Models are manufactured using the - Temperature Compensated PSPICE and SABER innovative UltraFET process. This Models advanced process technology - SPICE and SABER Thermal Impedance Models

0.3. Size:258K inchange semiconductor
hufa75339g3.pdf pdf_icon

Isc N-Channel MOSFET Transistor HUFA75339G3 FEATURES With To-263(D2PAK) package Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source V

Otros transistores... 75321P, 75321S, 75329G, 75329P, 75329S, 75333G, 75333P, 75333S, IRFZ44, 75339P, 75339S, 7N50A, A498, ALD1101APA, ALD1101BPA, ALD1101DA, ALD1101MA

75339G Todos los transistores