PHB18NQ10T MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: PHB18NQ10T
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 79 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.09 Ohm
Paquete / Cubierta: D2PAK

Búsqueda de reemplazo de MOSFET PHB18NQ10T

PHB18NQ10T Datasheet (PDF)

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phb18nq10t phd18nq10t php18nq10t phd18nq10t.pdf

Philips Semiconductors Product specification N-channel TrenchMOS transistor PHP18NQ10T, PHB18NQ10T PHD18NQ10TFEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology d Low on-state resistance VDSS = 100 V Fast switching Low thermal resistance ID = 18 AgRDS(ON) 90 msGENERAL DESCRIPTIONN-channel enhancement mode field-effect power transistor in a

..2. Size:903K nxp
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7.1. Size:98K philips
phb18nq20t php18nq20t 1.pdf

Philips Semiconductors Product specification N-channel TrenchMOS transistor PHP18NQ20T, PHB18NQ20T FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology d Low on-state resistance VDSS = 200 V Fast switching Low thermal resistance ID = 16 AgRDS(ON) 180 msGENERAL DESCRIPTIONN-channel, enhancement mode field-effect power transistor using Trench te

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: