PHB29N08T MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

PHB29N08T MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PHB29N08T

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 88 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 75 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 27 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.12 Ohm

Encapsulados: D2PAK

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PHB29N08T datasheet

..1. Size:181K philips
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PHB29N08T N-channel TrenchMOS standard level FET Rev. 03 13 October 2009 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Standard level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only. 1.2 Fea

..2. Size:678K nxp
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PHP/PHB29N08T TrenchMOS standard level FET Rev. 01 29 May 2002 Product data 1. Description N-channel standard level field-effect power transistor in a plastic package using TrenchMOS technology. Product availability PHP29N08T in SOT78 (TO-220AB) PHB29N08T in SOT404 (D2-PAK). 2. Features High noise immunity Low on-state resistance. 3. Applications Industrial motor cont

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