PHC21025 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PHC21025

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.5 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm

Encapsulados: SO8

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PHC21025 datasheet

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PHC21025

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET PHC21025 Complementary enhancement mode MOS transistors 1997 Jun 20 Product specification Supersedes data of November 1994 File under Discrete Semiconductors, SC13b Philips Semiconductors Product specification Complementary enhancement PHC21025 mode MOS transistors FEATURES PINNING - SOT96-1 (SO8) High-speed switching PIN SYMBOL DESCRIPTION

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