PHC21025 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: PHC21025
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: NP
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.8 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.5 A
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 30 nC
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm
Тип корпуса: SO8
PHC21025 Datasheet (PDF)
phc21025 2.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETPHC21025Complementary enhancementmode MOS transistors1997 Jun 20Product specificationSupersedes data of November 1994File under Discrete Semiconductors, SC13bPhilips Semiconductors Product specificationComplementary enhancementPHC21025mode MOS transistorsFEATURES PINNING - SOT96-1 (SO8) High-speed switchingPIN SYMBOL DESCRIPTION
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918