PHC21025. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PHC21025

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.5 A

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm

Тип корпуса: SO8

Аналог (замена) для PHC21025

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PHC21025 даташит

 ..1. Size:130K  philips
 phc21025 2.pdf pdf_icon

PHC21025

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET PHC21025 Complementary enhancement mode MOS transistors 1997 Jun 20 Product specification Supersedes data of November 1994 File under Discrete Semiconductors, SC13b Philips Semiconductors Product specification Complementary enhancement PHC21025 mode MOS transistors FEATURES PINNING - SOT96-1 (SO8) High-speed switching PIN SYMBOL DESCRIPTION

Другие IGBT... PHB27NQ10T, PHB29N08T, PHB32N06LT, PHB33NQ20T, PHB45NQ10T, PHB45NQ15T, PHB47NQ10T, PHB66NQ03LT, NCEP15T14, PHC2300, PHD101NQ03LT, PHD20N06T, PHD38N02LT, PHD71NQ03LT, PHD97NQ03LT, PHD9NQ20T, PHK04P02T