PHD71NQ03LT Todos los transistores

 

PHD71NQ03LT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PHD71NQ03LT
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 120 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 75 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.01 Ohm
   Paquete / Cubierta: DPAK
 

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PHD71NQ03LT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:265K  philips
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PHD71NQ03LT

PHP/PHB/PHD71NQ03LTTrenchMOS logic level FETRev. 01 25 June 2002 Product data1. Product profile1.1 DescriptionN-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package usingTrenchMOS technology.Product availability:PHP71NQ03LT in SOT78 (TO-220AB)PHB71NQ03LT in SOT404 (D2-PAK)PHD71NQ03LT in SOT428 (D-PAK).1.2 Features Logic level compatible Low gat

 ..2. Size:770K  nxp
 phd71nq03lt.pdf pdf_icon

PHD71NQ03LT

PHD71NQ03LTN-channel TrenchMOS logic level FETRev. 02 9 March 2010 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionLogic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only.1.2 Features a

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History: AM2305 | VS3662DB | AFN3400S | SFS04R013UGF | QM2517C1 | 2SK2684 | RU1H35K

 

 
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