PHD71NQ03LT MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PHD71NQ03LT

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 120 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 75 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.01 Ohm

Encapsulados: DPAK

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PHD71NQ03LT datasheet

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PHD71NQ03LT

PHP/PHB/PHD71NQ03LT TrenchMOS logic level FET Rev. 01 25 June 2002 Product data 1. Product profile 1.1 Description N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOS technology. Product availability PHP71NQ03LT in SOT78 (TO-220AB) PHB71NQ03LT in SOT404 (D2-PAK) PHD71NQ03LT in SOT428 (D-PAK). 1.2 Features Logic level compatible Low gat

 ..2. Size:770K  nxp
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PHD71NQ03LT

PHD71NQ03LT N-channel TrenchMOS logic level FET Rev. 02 9 March 2010 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only. 1.2 Features a

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