PHD71NQ03LT. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PHD71NQ03LT

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm

Тип корпуса: DPAK

Аналог (замена) для PHD71NQ03LT

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PHD71NQ03LT даташит

 ..1. Size:265K  philips
 php71nq03lt php71nq03lt phb71nq03lt phd71nq03lt.pdf pdf_icon

PHD71NQ03LT

PHP/PHB/PHD71NQ03LT TrenchMOS logic level FET Rev. 01 25 June 2002 Product data 1. Product profile 1.1 Description N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOS technology. Product availability PHP71NQ03LT in SOT78 (TO-220AB) PHB71NQ03LT in SOT404 (D2-PAK) PHD71NQ03LT in SOT428 (D-PAK). 1.2 Features Logic level compatible Low gat

 ..2. Size:770K  nxp
 phd71nq03lt.pdf pdf_icon

PHD71NQ03LT

PHD71NQ03LT N-channel TrenchMOS logic level FET Rev. 02 9 March 2010 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only. 1.2 Features a

Другие IGBT... PHB45NQ15T, PHB47NQ10T, PHB66NQ03LT, PHC21025, PHC2300, PHD101NQ03LT, PHD20N06T, PHD38N02LT, AO4407, PHD97NQ03LT, PHD9NQ20T, PHK04P02T, PHK12NQ03LT, PHK12NQ10T, PHK13N03LT, PHK18NQ03LT, PHK28NQ03LT