PHD9NQ20T Todos los transistores

 

PHD9NQ20T MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PHD9NQ20T
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 88 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8.7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 24 nC
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: DPAK
 

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PHD9NQ20T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:115K  philips
 phb9nq20t phd9nq20t php9nq20t 2.pdf pdf_icon

PHD9NQ20T

Philips Semiconductors Product specification N-channel TrenchMOS transistor PHP9NQ20T, PHB9NQ20T PHD9NQ20TFEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology d Low on-state resistance VDSS = 200 V Fast switching Low thermal resistance ID = 8.7 AgRDS(ON) 400 msGENERAL DESCRIPTIONN-channel, enhancement mode field-effect power transistor using

 ..2. Size:764K  nxp
 phd9nq20t.pdf pdf_icon

PHD9NQ20T

PHD9NQ20TN-channel TrenchMOS standard level FETRev. 03 16 December 2010 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionStandard level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only.1.2 Fe

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