PHP27NQ11T MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

PHP27NQ11T MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PHP27NQ11T

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 107 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 110 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 27.6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm

Encapsulados: TO220AB

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- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

PHP27NQ11T datasheet

..1. Size:212K philips
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PHP27NQ11T N-channel TrenchMOS standard level FET Rev. 02 4 March 2010 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Standard level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only. 1.2 Featu

..2. Size:769K nxp
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6.1. Size:118K philips
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Philips Semiconductors Product specification N-channel TrenchMOS transistor PHP27NQ10T, PHB27NQ10T PHD27NQ10T FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology d Low on-state resistance VDSS = 100 V Fast switching Low thermal resistance ID = 28 A g RDS(ON) 50 m s GENERAL DESCRIPTION N-channel enhancement mode field-effect power transistor in a

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