PHT6N06T MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PHT6N06T
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 8.3 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 55 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.15 Ohm
Encapsulados: SC73
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PHT6N06T datasheet
pht6n06t 1.pdf
Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor PHT6N06T Standard level FET GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATA N-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT logic level field-effect power transistor in a plastic envelope VDS Drain-source voltage 55 V suitable for surface mounting. ID Drain current (DC) Tsp = 25 C 5.5 A Using trench technology
pht6n06lt 2.pdf
Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor PHT6N06LT Logic level FET GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATA N-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT logic level field-effect power transistor in a plastic envelope VDS Drain-source voltage 55 V suitable for surface mounting. ID Drain current (DC) Tsp = 25 C 5.5 A The device features very low Dr
pht6n03t 2.pdf
Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor PHT6N03T Standard level FET GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATA N-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT standard level field-effect power transistor in a plastic envelope VDS Drain-source voltage 30 V suitable for surface mounting. Using ID Drain current (DC) Tsp = 25 C 12.8 A trench techno
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Liste
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