PHT6N06T MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PHT6N06T

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 8.3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 55 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.15 Ohm

Encapsulados: SC73

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PHT6N06T datasheet

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PHT6N06T

Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor PHT6N06T Standard level FET GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATA N-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT logic level field-effect power transistor in a plastic envelope VDS Drain-source voltage 55 V suitable for surface mounting. ID Drain current (DC) Tsp = 25 C 5.5 A Using trench technology

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PHT6N06T

Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor PHT6N06LT Logic level FET GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATA N-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT logic level field-effect power transistor in a plastic envelope VDS Drain-source voltage 55 V suitable for surface mounting. ID Drain current (DC) Tsp = 25 C 5.5 A The device features very low Dr

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PHT6N06T

Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor PHT6N03T Standard level FET GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATA N-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT standard level field-effect power transistor in a plastic envelope VDS Drain-source voltage 30 V suitable for surface mounting. Using ID Drain current (DC) Tsp = 25 C 12.8 A trench techno

 8.2. Size:43K  philips
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PHT6N06T

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