PMK35EP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PMK35EP
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 6.9 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 30 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 25 V
Corriente continua de drenaje (Id): 14.9 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 3 V
Carga de compuerta (Qg): 42 nC
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.019 Ohm
Empaquetado / Estuche: SO8
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PMK35EP Datasheet (PDF)
1.1. pmk35ep.pdf 
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PMK35EP P-channel TrenchMOS extremely low level FET Rev. 02 29 April 2010 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Extremely low level P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only. 1.2 Fe
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