PMK35EP Todos los transistores

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PMK35EP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PMK35EP

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 6.9 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 30 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 25 V

Corriente continua de drenaje (Id): 14.9 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 3 V

Carga de compuerta (Qg): 42 nC

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.019 Ohm

Empaquetado / Estuche: SO8

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PMK35EP Datasheet (PDF)

1.1. pmk35ep.pdf Size:289K _philips2

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PMK35EP P-channel TrenchMOS extremely low level FET Rev. 02 29 April 2010 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Extremely low level P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only. 1.2 Fe

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