PMK35EP Todos los transistores

 

PMK35EP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PMK35EP

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 6.9 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 30 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 25 V

Corriente continua de drenaje (Id): 14.9 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 3 V

Carga de compuerta (Qg): 42 nC

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.019 Ohm

Empaquetado / Estuche: SO8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET PMK35EP

 

 

PMK35EP Datasheet (PDF)

1.1. pmk35ep.pdf Size:289K _philips2

PMK35EP
PMK35EP

PMK35EP P-channel TrenchMOS extremely low level FET Rev. 02 29 April 2010 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Extremely low level P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only. 1.2 Fe

Otros transistores... PMG85XP , PMGD280UN , PMGD290XN , PMGD370XN , PMGD400UN , PMGD780SN , PMGD8000LN , PMK30EP , IRF1404 , PMK50XP , PML260SN , PML340SN , PMN20EN , PMN23UN , PMN25EN , PMN25UN , PMN27UN .

Back to Top

 


PMK35EP
  PMK35EP
  PMK35EP
  PMK35EP
 

social 

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

MOSFET: KO3407 | KO3404 | KO3403 | KO3402 | KN0606L | KML0D4P20E | KML0D4N20E | KMDF2C03HD | KMB075N75P | KI7540DP | KI6968BEDQ | KI5P03DY | KI5935DC | KI5908DC | KI5905DC |

 

 

Back to Top