PMN27UP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: PMN27UP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.54 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.032 Ohm
Paquete / Cubierta: TSOP6

Búsqueda de reemplazo de MOSFET PMN27UP

PMN27UP Datasheet (PDF)

..1. Size:1566K nxp
pmn27up.pdf

PMN27UP20 V, 5.7 A P-channel Trench MOSFETRev. 1 13 July 2011 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionP-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT457 (SC-74) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.1.2 Features and benefits 1.8 V RDSon rated Trench MOSFET technology Very fast switch

9.1. Size:275K nxp
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PMN27XPEA20 V, single P-channel Trench MOSFET19 June 2014 Product data sheet1. General descriptionP-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT457 (SC-74)Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.2. Features and benefits Fast switching Trench MOSFET technology 2 kV ESD protection AEC-Q101 qualified3. A

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PMN27XPE20 V, single P-channel Trench MOSFET20 September 2012 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionP-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT457 (SC-74)Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.1.2 Features and benefits Fast switching Trench MOSFET technology 2 kV ESD protection1.

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History: PMPB33XN

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: