PMN38EN MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PMN38EN

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.75 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.038 Ohm

Encapsulados: TSOP6

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PMN38EN datasheet

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PMN38EN

PMN38EN N-channel TrenchMOS logic level FET Rev. 02 3 October 2007 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only. 1.2 Features Logic level threshold Low t

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