PMN38EN Todos los transistores

 

PMN38EN MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PMN38EN
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.75 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.038 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSOP6
 

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PMN38EN Datasheet (PDF)

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PMN38EN

PMN38ENN-channel TrenchMOS logic level FETRev. 02 3 October 2007 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionLogic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only.1.2 Features Logic level threshold Low t

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History: IXTH160N075T | IXTH160N10T

 

 
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