PMN38EN. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PMN38EN

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.75 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.038 Ohm

Тип корпуса: TSOP6

Аналог (замена) для PMN38EN

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMN38EN даташит

 ..1. Size:176K  philips
 pmn38en.pdf pdf_icon

PMN38EN

PMN38EN N-channel TrenchMOS logic level FET Rev. 02 3 October 2007 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only. 1.2 Features Logic level threshold Low t

Другие IGBT... PMN25UN, PMN27UN, PMN27UP, PMN28UN, PMN34LN, PMN34UN, PMN34UP, PMN35EN, AON7408, PMN40LN, PMN45EN, PMN48XP, PMN49EN, PMN55LN, PMR280UN, PMR290XN, PMR370XN