PMN49EN Todos los transistores

 

PMN49EN MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PMN49EN

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 1.75 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 30 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 4.6 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 2 V

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.047 Ohm

Empaquetado / Estuche: TSOP6

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PMN49EN Datasheet (PDF)

1.1. pmn49en.pdf Size:84K _philips2

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PMN49EN N-channel TrenchMOS logic level FET Rev. 01 13 April 2007 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. 1.2 Features Logic level threshold Fast switching 1.3 Applications Battery management High-speed switching 1.4 Quick reference data VDS ?

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