PMN49EN. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PMN49EN

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.75 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.047 Ohm

Тип корпуса: TSOP6

Аналог (замена) для PMN49EN

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMN49EN даташит

 ..1. Size:84K  philips
 pmn49en.pdf pdf_icon

PMN49EN

PMN49EN N-channel TrenchMOS logic level FET Rev. 01 13 April 2007 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. 1.2 Features Logic level threshold Fast switching 1.3 Applications Battery management High-speed switching 1.4 Quick reference data

Другие IGBT... PMN34LN, PMN34UN, PMN34UP, PMN35EN, PMN38EN, PMN40LN, PMN45EN, PMN48XP, IRF9540N, PMN55LN, PMR280UN, PMR290XN, PMR370XN, PMR400UN, PMR780SN, PMT21EN, PMT29EN