APT1002R4AN Todos los transistores

 

APT1002R4AN MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: APT1002R4AN
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 198 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1000 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO3
     - Selección de transistores por parámetros

 

APT1002R4AN Datasheet (PDF)

 5.1. Size:81K  apt
 apt1002r4bnr apt1002rbnr.pdf pdf_icon

APT1002R4AN

 5.2. Size:50K  apt
 apt1002r4bn.pdf pdf_icon

APT1002R4AN

DTO-247GAPT1002RBN 1000V 7.0A 2.00SAPT1002R4BN 1000V 6.5A 2.40POWER MOS IVN- CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETSMAXIMUM RATINGS All Ratings: TC = 25C unless otherwise specified.APT APTSymbol Parameter 1002RBN 1002R4BN UNITVDSS Drain-Source Voltage1000 1000 VoltsID Continuous Drain Current @ TC = 25C7.0 6.5AmpsIDM Pulsed Drain Current 1

 6.1. Size:49K  apt
 apt1002rcn.pdf pdf_icon

APT1002R4AN

DTO-254GAPT1002RCN 1000V 5.5A 2.00STMPOWER MOS IVN - CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETSMAXIMUM RATINGS All Ratings: TC = 25C unless otherwise specified.Symbol Parameter APT1002RCN UNITVDSS Drain-Source Voltage1000 VoltsID Continuous Drain Current @ TC = 25C5.5AmpsIDM Pulsed Drain Current 122VGS Gate-Source Voltage30 VoltsTotal Powe

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History: HUFA76423S3ST | P06P03LDG | NCE65TF099F

 

 
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