APT1002R4AN MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: APT1002R4AN
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 198 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1000 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.4 Ohm
Paquete / Cubierta: TO3
Búsqueda de reemplazo de APT1002R4AN MOSFET
APT1002R4AN Datasheet (PDF)
apt1002r4bn.pdf
DTO-247GAPT1002RBN 1000V 7.0A 2.00SAPT1002R4BN 1000V 6.5A 2.40POWER MOS IVN- CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETSMAXIMUM RATINGS All Ratings: TC = 25C unless otherwise specified.APT APTSymbol Parameter 1002RBN 1002R4BN UNITVDSS Drain-Source Voltage1000 1000 VoltsID Continuous Drain Current @ TC = 25C7.0 6.5AmpsIDM Pulsed Drain Current 1
apt1002rcn.pdf
DTO-254GAPT1002RCN 1000V 5.5A 2.00STMPOWER MOS IVN - CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETSMAXIMUM RATINGS All Ratings: TC = 25C unless otherwise specified.Symbol Parameter APT1002RCN UNITVDSS Drain-Source Voltage1000 VoltsID Continuous Drain Current @ TC = 25C5.5AmpsIDM Pulsed Drain Current 122VGS Gate-Source Voltage30 VoltsTotal Powe
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Liste
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