SI2302DS MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SI2302DS
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.83 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.085 Ohm
Paquete / Cubierta: TO236AB
Búsqueda de reemplazo de SI2302DS MOSFET
SI2302DS Datasheet (PDF)
si2302ds.pdf

SI2302DSN-channel enhancement mode field-effect transistorRev. 02 20 November 2001 Product dataM3D0881. DescriptionN-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package usingTrenchMOS1 technology.Product availability:SI2302DS in SOT23.2. Features TrenchMOS technology Very fast switching Logic level compatible Subminiature surface mount packa
si2302ds.pdf

Si2302DSVishay SiliconixN-Channel 1.25-W, 2.5-V MOSFETPRODUCT SUMMARYVDS (V) rDS(on) (W) ID (A)0.085 @ VGS = 4.5 V 2.820200.115 @ VGS = 2.5 V 2.4TO-236(SOT-23)G 13 DS 2Top ViewSi2302DS (A2)**Marking CodeABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)Parameter Symbol Limit UnitDrain-Source Voltage VDS 20VVGate-Source Voltage VGS "8TA= 25_
si2302ds.pdf

SMD Type MOSFETN-Channel Enhancement MOSFETSI2302DS (KI2302DS)SOT-23Unit: mm+0.12.9 -0.10.4+0.1-0.1 Features3 VDS=20V RDS(on)= 85m@VGS=4.5V ,ID=3.6A RDS(on)= 115m@VGS=2.5V ,ID=3.1A1 2+0.1+0.050.95 -0.1 0.1-0.01+0.11.9 -0.1G 11.Gate3 D2.SourceS 23.Drain Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Dr
si2302ds-3.pdf

SMD Type MOSFETN-Channel Enhancement MOSFETSI2302DS (KI2302DS)SOT-23-3Unit: mm+0.22.9 -0.1+0.10.4-0.13 Features VDS=20V RDS(on)= 85m@VGS=4.5V ,ID=3.6A RDS(on)= 115m@VGS=2.5V ,ID=3.1A 1 2+0.02+0.10.15 -0.020.95 -0.1+0.11.9 -0.2G 13 D1. GateS 22. Source3. Drain Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Un
Otros transistores... PSMN8R7-80PS , PSMN9R0-25YLC , PSMN9R0-30LL , PSMN9R0-30YL , PSMN9R1-30YL , PSMN9R5-100PS , PSMN9R5-100XS , PSMN9R5-30YLC , IRF9540 , SI2304DS , IRF630FP , IRF630M , STB100NF03L-03 , STB100NF04 , STB10NK60Z , STB11N52K3 , STB11NK40Z .
History: SUU10P10-195 | NVMFS6B14NL | IPA65R065C7
History: SUU10P10-195 | NVMFS6B14NL | IPA65R065C7



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
Popular searches
2sa566 | bc559 equivalent | c2075 transistor | ecg123 | 2n5551 transistor equivalent | 13009 datasheet | 3dd15d transistor | pa110bda