SI2304DS MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SI2304DS
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.83 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.7 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.117 Ohm
Paquete / Cubierta: TO236AB
Búsqueda de reemplazo de SI2304DS MOSFET
SI2304DS Datasheet (PDF)
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SI2304DSN-channel enhancement mode field-effect transistorRev. 01 17 August 2001 Product dataM3D0881. DescriptionN-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package usingTrenchMOS1 technologyProduct availability:SI2304DS in SOT23.2. Features TrenchMOS technology Very fast switching Subminiature surface mount package.3. Applications Batte
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Si2304DSVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYVDS (V) rDS(on) (W) ID (A)0.117 @ VGS = 10 V 2.530300.190 @ VGS = 4.5 V 2.0TO-236(SOT-23)G 13 DS 2Top ViewSi2304DS (A4)**Marking CodeABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)Parameter Symbol Limit UnitDrain-Source Voltage VDS 30VVGate-Source Voltage VGS "20TA= 25_C 2
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SMD Type MOSFETN-Channel Enhancement MOSFET SI2304DS (KI2304DS)SOT-23Unit: mm Features+0.12.9-0.1+0.10.4 -0.1 VDS (V) = 30V3 RDS(ON) 117m (VGS = 10V) RDS(ON) 190m (VGS = 4.5V)1 2+0.1+0.050.95 -0.1 0.1 -0.01+0.11.9 -0.1G 11.Gate3 D2.SourceS 23.Drain Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit
si2304ds ki2304ds.pdf

SMD Type MOSFETN-Channel Enhancement MOSFET SI2304DS (KI2304DS)SOT-23-3Unit: mm+0.22.9 -0.1+0.10.4-0.1 Features3 VDS (V) = 30V RDS(ON) 117m (VGS = 10V) RDS(ON) 190m (VGS = 4.5V)1 2+0.02+0.10.15 -0.020.95 -0.1+0.11.9 -0.2G 13 D1. GateS 22. Source3. Drain Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Ratin
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