SI2304DS. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SI2304DS

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.83 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.117 Ohm

Тип корпуса: TO236AB

Аналог (замена) для SI2304DS

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI2304DS даташит

 ..1. Size:270K  philips
 si2304ds.pdf pdf_icon

SI2304DS

SI2304DS N-channel enhancement mode field-effect transistor Rev. 01 17 August 2001 Product data M3D088 1. Description N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOS 1 technology Product availability SI2304DS in SOT23. 2. Features TrenchMOS technology Very fast switching Subminiature surface mount package. 3. Applications Batte

 ..2. Size:52K  vishay
 si2304ds.pdf pdf_icon

SI2304DS

Si2304DS Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY VDS (V) rDS(on) (W) ID (A) 0.117 @ VGS = 10 V 2.5 30 30 0.190 @ VGS = 4.5 V 2.0 TO-236 (SOT-23) G 1 3 D S 2 Top View Si2304DS (A4)* *Marking Code ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED) Parameter Symbol Limit Unit Drain-Source Voltage VDS 30 V V Gate-Source Voltage VGS "20 TA= 25_C 2

 ..3. Size:1510K  kexin
 si2304ds.pdf pdf_icon

SI2304DS

SMD Type MOSFET N-Channel Enhancement MOSFET SI2304DS (KI2304DS) SOT-23 Unit mm Features +0.1 2.9-0.1 +0.1 0.4 -0.1 VDS (V) = 30V 3 RDS(ON) 117m (VGS = 10V) RDS(ON) 190m (VGS = 4.5V) 1 2 +0.1 +0.05 0.95 -0.1 0.1 -0.01 +0.1 1.9 -0.1 G 1 1.Gate 3 D 2.Source S 2 3.Drain Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit

 ..4. Size:1555K  kexin
 si2304ds ki2304ds.pdf pdf_icon

SI2304DS

SMD Type MOSFET N-Channel Enhancement MOSFET SI2304DS (KI2304DS) SOT-23-3 Unit mm +0.2 2.9 -0.1 +0.1 0.4-0.1 Features 3 VDS (V) = 30V RDS(ON) 117m (VGS = 10V) RDS(ON) 190m (VGS = 4.5V) 1 2 +0.02 +0.1 0.15 -0.02 0.95 -0.1 +0.1 1.9 -0.2 G 1 3 D 1. Gate S 2 2. Source 3. Drain Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Ratin

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... PSMN9R0-25YLC, PSMN9R0-30LL, PSMN9R0-30YL, PSMN9R1-30YL, PSMN9R5-100PS, PSMN9R5-100XS, PSMN9R5-30YLC, SI2302DS, P55NF06, IRF630FP, IRF630M, STB100NF03L-03, STB100NF04, STB10NK60Z, STB11N52K3, STB11NK40Z, STB11NK50Z