Справочник MOSFET. SI2304DS

 

SI2304DS Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SI2304DS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.83 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.117 Ohm
   Тип корпуса: TO236AB
 

 Аналог (замена) для SI2304DS

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI2304DS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:270K  philips
 si2304ds.pdf pdf_icon

SI2304DS

SI2304DSN-channel enhancement mode field-effect transistorRev. 01 17 August 2001 Product dataM3D0881. DescriptionN-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package usingTrenchMOS1 technologyProduct availability:SI2304DS in SOT23.2. Features TrenchMOS technology Very fast switching Subminiature surface mount package.3. Applications Batte

 ..2. Size:52K  vishay
 si2304ds.pdf pdf_icon

SI2304DS

Si2304DSVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYVDS (V) rDS(on) (W) ID (A)0.117 @ VGS = 10 V 2.530300.190 @ VGS = 4.5 V 2.0TO-236(SOT-23)G 13 DS 2Top ViewSi2304DS (A4)**Marking CodeABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)Parameter Symbol Limit UnitDrain-Source Voltage VDS 30VVGate-Source Voltage VGS "20TA= 25_C 2

 ..3. Size:1510K  kexin
 si2304ds.pdf pdf_icon

SI2304DS

SMD Type MOSFETN-Channel Enhancement MOSFET SI2304DS (KI2304DS)SOT-23Unit: mm Features+0.12.9-0.1+0.10.4 -0.1 VDS (V) = 30V3 RDS(ON) 117m (VGS = 10V) RDS(ON) 190m (VGS = 4.5V)1 2+0.1+0.050.95 -0.1 0.1 -0.01+0.11.9 -0.1G 11.Gate3 D2.SourceS 23.Drain Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit

 ..4. Size:1555K  kexin
 si2304ds ki2304ds.pdf pdf_icon

SI2304DS

SMD Type MOSFETN-Channel Enhancement MOSFET SI2304DS (KI2304DS)SOT-23-3Unit: mm+0.22.9 -0.1+0.10.4-0.1 Features3 VDS (V) = 30V RDS(ON) 117m (VGS = 10V) RDS(ON) 190m (VGS = 4.5V)1 2+0.02+0.10.15 -0.020.95 -0.1+0.11.9 -0.2G 13 D1. GateS 22. Source3. Drain Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Ratin

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... PSMN9R0-25YLC , PSMN9R0-30LL , PSMN9R0-30YL , PSMN9R1-30YL , PSMN9R5-100PS , PSMN9R5-100XS , PSMN9R5-30YLC , SI2302DS , IRFB4115 , IRF630FP , IRF630M , STB100NF03L-03 , STB100NF04 , STB10NK60Z , STB11N52K3 , STB11NK40Z , STB11NK50Z .

History: DMN4027SSD | HAT2184WP | STN2NF10 | IRF7907PBF-1 | 2SJ273 | BL8N60-A | CSBF30

 

 
Back to Top

 


 
.