STB100NF03L-03 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: STB100NF03L-03
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 16 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 315 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1720 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0032 Ohm
   Paquete / Cubierta: D2PAK I2PAK

Búsqueda de reemplazo de MOSFET STB100NF03L-03

STB100NF03L-03 Datasheet (PDF)

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STP100NF03L-03STB100NF03L-03 STB100NF03L-03-1N-channel 30V - 0.0026 - 100A - D2PAK/I2/TO-220STripFET III Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTB100NF03L-03 30V

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STB100NF03L-03 STP100NF03L-03STB100NF03L-03-1N-CHANNEL 30V - 0.0026 -100A DPAK/IPAK/TO-220STripFET II POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTB100NF03L-03 30 V

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STP100NF04STB100NF04N-channel 40V - 0.0043 - 120A - TO-220 - D2PAKSTripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) ID PwSTP100NF04 40V

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STB100NF04LN-CHANNEL 40V - 0.0036 - 100A D2PAKSTripFET II POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTB100NF04L 40 V

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STP100NF04STB100NF04N-channel 40V - 0.0043 - 120A - TO-220 - D2PAKSTripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) ID PwSTP100NF04 40V

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STB100NF04www.VBsemi.twN-Channel 40 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY ThunderFET power MOSFETVDS (V) RDS(on) () MAX. ID (A) Qg (TYP.) Maximum 175 C junction temperature0.005 at VGS = 10 V 10040 53 nC 100 % Rg and UIS tested0.006 at VGS = 4.5 V 98 Material categorization:for definitions of compliance please see DTO-263GSSSDDG

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Liste

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