STB100NF03L-03. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STB100NF03L-03

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 16 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 315 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1720 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0032 Ohm

Тип корпуса: D2PAK I2PAK

Аналог (замена) для STB100NF03L-03

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STB100NF03L-03 даташит

 ..1. Size:460K  st
 stb100nf03l-03-1 stb100nf03l-03t4 stb100nf03l-03 stb100nf03l-03-1 stp100nf03l-03.pdf pdf_icon

STB100NF03L-03

STP100NF03L-03 STB100NF03L-03 STB100NF03L-03-1 N-channel 30V - 0.0026 - 100A - D2PAK/I2/TO-220 STripFET III Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID STB100NF03L-03 30V

 3.1. Size:393K  st
 stb100nf03l.pdf pdf_icon

STB100NF03L-03

STB100NF03L-03 STP100NF03L-03 STB100NF03L-03-1 N-CHANNEL 30V - 0.0026 -100A D PAK/I PAK/TO-220 STripFET II POWER MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STB100NF03L-03 30 V

 5.1. Size:395K  st
 stb100nf04t4.pdf pdf_icon

STB100NF03L-03

STP100NF04 STB100NF04 N-channel 40V - 0.0043 - 120A - TO-220 - D2PAK STripFET II Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID Pw STP100NF04 40V

 5.2. Size:338K  st
 stb100nf04l.pdf pdf_icon

STB100NF03L-03

STB100NF04L N-CHANNEL 40V - 0.0036 - 100A D2PAK STripFET II POWER MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STB100NF04L 40 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... PSMN9R1-30YL, PSMN9R5-100PS, PSMN9R5-100XS, PSMN9R5-30YLC, SI2302DS, SI2304DS, IRF630FP, IRF630M, IRFP250N, STB100NF04, STB10NK60Z, STB11N52K3, STB11NK40Z, STB11NK50Z, STB11NM60, STB11NM60FD, STB11NM80