STB100NF03L-03 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: STB100NF03L-03
Маркировка: B100NF03L
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 300 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 16 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 100 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 88 nC
Время нарастания (tr): 315 ns
Выходная емкость (Cd): 1720 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0032 Ohm
Тип корпуса: D2PAK I2PAK
Аналог (замена) для STB100NF03L-03
STB100NF03L-03 Datasheet (PDF)
stb100nf03l-03-1 stb100nf03l-03t4 stb100nf03l-03 stb100nf03l-03-1 stp100nf03l-03.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
STP100NF03L-03STB100NF03L-03 STB100NF03L-03-1N-channel 30V - 0.0026 - 100A - D2PAK/I2/TO-220STripFET III Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTB100NF03L-03 30V
stb100nf03l.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
STB100NF03L-03 STP100NF03L-03STB100NF03L-03-1N-CHANNEL 30V - 0.0026 -100A DPAK/IPAK/TO-220STripFET II POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTB100NF03L-03 30 V
stb100nf04t4.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
STP100NF04STB100NF04N-channel 40V - 0.0043 - 120A - TO-220 - D2PAKSTripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) ID PwSTP100NF04 40V
stb100nf04l.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
STB100NF04LN-CHANNEL 40V - 0.0036 - 100A D2PAKSTripFET II POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTB100NF04L 40 V
stb100nf04 stp100nf04.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
STP100NF04STB100NF04N-channel 40V - 0.0043 - 120A - TO-220 - D2PAKSTripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) ID PwSTP100NF04 40V
stb100nf04.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
STB100NF04www.VBsemi.twN-Channel 40 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY ThunderFET power MOSFETVDS (V) RDS(on) () MAX. ID (A) Qg (TYP.) Maximum 175 C junction temperature0.005 at VGS = 10 V 10040 53 nC 100 % Rg and UIS tested0.006 at VGS = 4.5 V 98 Material categorization:for definitions of compliance please see DTO-263GSSSDDG
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .