STB13NK60ZT4 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STB13NK60ZT4
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 210 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.55 Ohm
Paquete / Cubierta: D2PAK
Búsqueda de reemplazo de STB13NK60ZT4 MOSFET
STB13NK60ZT4 Datasheet (PDF)
stb13nk60zt4 stp13nk60z stp13nk60zfp stw13nk60z.pdf

STB13NK60ZT4, STP13NK60ZSTP13NK60ZFP, STW13NK60ZN-channel 600 V, 0.48 , 13 A, TO-220, TO-220FP, D2PAKTO-247 Zener-protected SuperMESH Power MOSFETFeaturesRDS(on) Type VDSS ID Pwmax332STB13NK60ZT4 600 V
stb13nk60zt4 stw13nk60z stp13nk60zfp.pdf

STB13NK60ZT4, STP13NK60ZSTP13NK60ZFP, STW13NK60ZN-channel 600 V, 0.48 , 13 A, TO-220, TO-220FP, D2PAKTO-247 Zener-protected SuperMESH Power MOSFETFeaturesRDS(on) Type VDSS ID Pwmax332STB13NK60ZT4 600 V
stb13nm60n std13nm60n.pdf

STB13NM60N, STD13NM60NN-channel 600 V, 0.28 typ., 11 A MDmesh II Power MOSFETs in DPAK and DPAK packagesDatasheet production dataFeatures Order code VDS (@Tjmax) RDS(on) max IDSTB13NM60NTAB650 V 0.36 11 ATABSTD13NM60N3 100% avalanche tested31 1 Low input capacitance and gate chargeDPAKDPAK Low gate input resistanceApplications
stb13n60m2 std13n60m2.pdf

STB13N60M2, STD13N60M2N-channel 600 V, 0.35 typ., 11 A MDmesh II Plus low Qg Power MOSFETs in D2PAK and DPAK packagesDatasheet - production dataFeaturesOrder codes VDS @ TJmax RDS(on) max IDSTB13N60M2TAB650 V 0.38 11 ASTD13N60M2TAB33 Extremely low gate charge11 Lower RDS(on) x area vs previous generationDPAKD2PAK Low gate input resistance
Otros transistores... STB120N4F6 , STB120N4LF6 , STB120NF10 , STB12N120K5 , STB12NK80Z , STB12NM50 , STB12NM50N , STB12NM50ND , TK10A60D , STB13NM60N , STB140NF55 , STB140NF75 , STB141NF55 , STB14NK50Z , STB14NK60Z , STB14NM50N , STB150NF04 .
History: IXFB300N10P | RUH1H150S | NCE8601B | 2SK1635 | NTMFS6D1N08H | SMK0825FZ | IPI051N15N5
History: IXFB300N10P | RUH1H150S | NCE8601B | 2SK1635 | NTMFS6D1N08H | SMK0825FZ | IPI051N15N5



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
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