STB13NK60ZT4 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: STB13NK60ZT4
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 14 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 210 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.55 Ohm
Тип корпуса: D2PAK
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
STB13NK60ZT4 Datasheet (PDF)
stb13nk60zt4 stp13nk60z stp13nk60zfp stw13nk60z.pdf

STB13NK60ZT4, STP13NK60ZSTP13NK60ZFP, STW13NK60ZN-channel 600 V, 0.48 , 13 A, TO-220, TO-220FP, D2PAKTO-247 Zener-protected SuperMESH Power MOSFETFeaturesRDS(on) Type VDSS ID Pwmax332STB13NK60ZT4 600 V
stb13nk60zt4 stw13nk60z stp13nk60zfp.pdf

STB13NK60ZT4, STP13NK60ZSTP13NK60ZFP, STW13NK60ZN-channel 600 V, 0.48 , 13 A, TO-220, TO-220FP, D2PAKTO-247 Zener-protected SuperMESH Power MOSFETFeaturesRDS(on) Type VDSS ID Pwmax332STB13NK60ZT4 600 V
stb13nm60n std13nm60n.pdf

STB13NM60N, STD13NM60NN-channel 600 V, 0.28 typ., 11 A MDmesh II Power MOSFETs in DPAK and DPAK packagesDatasheet production dataFeatures Order code VDS (@Tjmax) RDS(on) max IDSTB13NM60NTAB650 V 0.36 11 ATABSTD13NM60N3 100% avalanche tested31 1 Low input capacitance and gate chargeDPAKDPAK Low gate input resistanceApplications
stb13n60m2 std13n60m2.pdf

STB13N60M2, STD13N60M2N-channel 600 V, 0.35 typ., 11 A MDmesh II Plus low Qg Power MOSFETs in D2PAK and DPAK packagesDatasheet - production dataFeaturesOrder codes VDS @ TJmax RDS(on) max IDSTB13N60M2TAB650 V 0.38 11 ASTD13N60M2TAB33 Extremely low gate charge11 Lower RDS(on) x area vs previous generationDPAKD2PAK Low gate input resistance
Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .
History: AP1A003GMT | IRF5210S | 2SK1809 | MTB25P06FP | SRT10N022HTLTR-G | ME3424D-G | DMN2400UFB
History: AP1A003GMT | IRF5210S | 2SK1809 | MTB25P06FP | SRT10N022HTLTR-G | ME3424D-G | DMN2400UFB



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
c6090 | ksa1015yta | 2n4240 | 2n5210 transistor | toshiba 2sc2290 | pk6d0ba mosfet | 2sd726 | c536 transistor equivalent