STB13NK60ZT4. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STB13NK60ZT4

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 210 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.55 Ohm

Тип корпуса: D2PAK

Аналог (замена) для STB13NK60ZT4

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STB13NK60ZT4 даташит

 ..1. Size:489K  st
stb13nk60zt4 stp13nk60z stp13nk60zfp stw13nk60z.pdfpdf_icon

STB13NK60ZT4

STB13NK60ZT4, STP13NK60Z STP13NK60ZFP, STW13NK60Z N-channel 600 V, 0.48 , 13 A, TO-220, TO-220FP, D2PAK TO-247 Zener-protected SuperMESH Power MOSFET Features RDS(on) Type VDSS ID Pw max 3 3 2 STB13NK60ZT4 600 V

 ..2. Size:491K  st
stb13nk60zt4 stw13nk60z stp13nk60zfp.pdfpdf_icon

STB13NK60ZT4

STB13NK60ZT4, STP13NK60Z STP13NK60ZFP, STW13NK60Z N-channel 600 V, 0.48 , 13 A, TO-220, TO-220FP, D2PAK TO-247 Zener-protected SuperMESH Power MOSFET Features RDS(on) Type VDSS ID Pw max 3 3 2 STB13NK60ZT4 600 V

 8.1. Size:1154K  st
stb13nm60n std13nm60n.pdfpdf_icon

STB13NK60ZT4

STB13NM60N, STD13NM60N N-channel 600 V, 0.28 typ., 11 A MDmesh II Power MOSFETs in D PAK and DPAK packages Datasheet production data Features Order code VDS (@Tjmax) RDS(on) max ID STB13NM60N TAB 650 V 0.36 11 A TAB STD13NM60N 3 100% avalanche tested 3 1 1 Low input capacitance and gate charge DPAK D PAK Low gate input resistance Applications

 8.2. Size:1515K  st
stb13n60m2 std13n60m2.pdfpdf_icon

STB13NK60ZT4

STB13N60M2, STD13N60M2 N-channel 600 V, 0.35 typ., 11 A MDmesh II Plus low Qg Power MOSFETs in D2PAK and DPAK packages Datasheet - production data Features Order codes VDS @ TJmax RDS(on) max ID STB13N60M2 TAB 650 V 0.38 11 A STD13N60M2 TAB 3 3 Extremely low gate charge 1 1 Lower RDS(on) x area vs previous generation DPAK D2PAK Low gate input resistance

Другие IGBT... STB120N4F6, STB120N4LF6, STB120NF10, STB12N120K5, STB12NK80Z, STB12NM50, STB12NM50N, STB12NM50ND, 13N50, STB13NM60N, STB140NF55, STB140NF75, STB141NF55, STB14NK50Z, STB14NK60Z, STB14NM50N, STB150NF04