Справочник MOSFET. STB13NK60ZT4

 

STB13NK60ZT4 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STB13NK60ZT4
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 210 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.55 Ohm
   Тип корпуса: D2PAK
 

 Аналог (замена) для STB13NK60ZT4

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STB13NK60ZT4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:489K  st
stb13nk60zt4 stp13nk60z stp13nk60zfp stw13nk60z.pdfpdf_icon

STB13NK60ZT4

STB13NK60ZT4, STP13NK60ZSTP13NK60ZFP, STW13NK60ZN-channel 600 V, 0.48 , 13 A, TO-220, TO-220FP, D2PAKTO-247 Zener-protected SuperMESH Power MOSFETFeaturesRDS(on) Type VDSS ID Pwmax332STB13NK60ZT4 600 V

 ..2. Size:491K  st
stb13nk60zt4 stw13nk60z stp13nk60zfp.pdfpdf_icon

STB13NK60ZT4

STB13NK60ZT4, STP13NK60ZSTP13NK60ZFP, STW13NK60ZN-channel 600 V, 0.48 , 13 A, TO-220, TO-220FP, D2PAKTO-247 Zener-protected SuperMESH Power MOSFETFeaturesRDS(on) Type VDSS ID Pwmax332STB13NK60ZT4 600 V

 8.1. Size:1154K  st
stb13nm60n std13nm60n.pdfpdf_icon

STB13NK60ZT4

STB13NM60N, STD13NM60NN-channel 600 V, 0.28 typ., 11 A MDmesh II Power MOSFETs in DPAK and DPAK packagesDatasheet production dataFeatures Order code VDS (@Tjmax) RDS(on) max IDSTB13NM60NTAB650 V 0.36 11 ATABSTD13NM60N3 100% avalanche tested31 1 Low input capacitance and gate chargeDPAKDPAK Low gate input resistanceApplications

 8.2. Size:1515K  st
stb13n60m2 std13n60m2.pdfpdf_icon

STB13NK60ZT4

STB13N60M2, STD13N60M2N-channel 600 V, 0.35 typ., 11 A MDmesh II Plus low Qg Power MOSFETs in D2PAK and DPAK packagesDatasheet - production dataFeaturesOrder codes VDS @ TJmax RDS(on) max IDSTB13N60M2TAB650 V 0.38 11 ASTD13N60M2TAB33 Extremely low gate charge11 Lower RDS(on) x area vs previous generationDPAKD2PAK Low gate input resistance

Другие MOSFET... STB120N4F6 , STB120N4LF6 , STB120NF10 , STB12N120K5 , STB12NK80Z , STB12NM50 , STB12NM50N , STB12NM50ND , TK10A60D , STB13NM60N , STB140NF55 , STB140NF75 , STB141NF55 , STB14NK50Z , STB14NK60Z , STB14NM50N , STB150NF04 .

History: AS3019E | 5N65KL-TF1-T

 

 
Back to Top

 


 
.