STB141NF55 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STB141NF55

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 55 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 150 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1000 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.008 Ohm

Encapsulados: D2PAK

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STB141NF55 datasheet

 ..1. Size:362K  st
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STB141NF55

STB141NF55 - STB141NF55-1 STP141NF55 N-channel 55V - 0.0065 - 80A - D2PAK - I2PAK - TO-220 STripFET II Power MOSFET Features Type VDSS RDS(on) ID (1) STB141NF55 55V

 0.1. Size:354K  st
stb141nf55-1.pdf pdf_icon

STB141NF55

STB141NF55 - STB141NF55-1 STP141NF55 N-channel 55V - 0.0065 - 80A - D2PAK - I2PAK - TO-220 STripFET II Power MOSFET Features Type VDSS RDS(on) ID (1) STB141NF55 55V

 9.1. Size:1281K  st
stb14nm50n std14nm50n stp14nm50n stf14nm50n.pdf pdf_icon

STB141NF55

STB14NM50N, STD14NM50N STF14NM50N, STP14NM50N N-channel 500 V, 0.28 , 12 A MDmesh II Power MOSFET in DPAK, D2PAK, TO-220 and TO-220FP Features VDSS @ RDS(on) Type ID 3 TJmax max 1 3 STB14NM50N 2 DPAK 1 STD14NM50N 550 V

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stb14nk50z-1 stb14nk50zt4 stp14nk50zfp.pdf pdf_icon

STB141NF55

STP14NK50Z - STP14NK50ZFP STB14NK50Z-STB14NK50Z-1-STW14NK50Z N-channel 500V - 0.34 - 14A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK/TO-247 Zener-protected SuperMESHTM Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID Pw 3 STP14NK50Z 500V

Otros transistores... STB12NK80Z, STB12NM50, STB12NM50N, STB12NM50ND, STB13NK60ZT4, STB13NM60N, STB140NF55, STB140NF75, IRF1010E, STB14NK50Z, STB14NK60Z, STB14NM50N, STB150NF04, STB150NF55, STB155N3H6, STB155N3LH6, STB15NM60ND