STB141NF55. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STB141NF55

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 55 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 150 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1000 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm

Тип корпуса: D2PAK

Аналог (замена) для STB141NF55

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STB141NF55 даташит

 ..1. Size:362K  st
stb141nf55 stb141nf55-1 stp141nf55.pdfpdf_icon

STB141NF55

STB141NF55 - STB141NF55-1 STP141NF55 N-channel 55V - 0.0065 - 80A - D2PAK - I2PAK - TO-220 STripFET II Power MOSFET Features Type VDSS RDS(on) ID (1) STB141NF55 55V

 0.1. Size:354K  st
stb141nf55-1.pdfpdf_icon

STB141NF55

STB141NF55 - STB141NF55-1 STP141NF55 N-channel 55V - 0.0065 - 80A - D2PAK - I2PAK - TO-220 STripFET II Power MOSFET Features Type VDSS RDS(on) ID (1) STB141NF55 55V

 9.1. Size:1281K  st
stb14nm50n std14nm50n stp14nm50n stf14nm50n.pdfpdf_icon

STB141NF55

STB14NM50N, STD14NM50N STF14NM50N, STP14NM50N N-channel 500 V, 0.28 , 12 A MDmesh II Power MOSFET in DPAK, D2PAK, TO-220 and TO-220FP Features VDSS @ RDS(on) Type ID 3 TJmax max 1 3 STB14NM50N 2 DPAK 1 STD14NM50N 550 V

 9.2. Size:618K  st
stb14nk50z-1 stb14nk50zt4 stp14nk50zfp.pdfpdf_icon

STB141NF55

STP14NK50Z - STP14NK50ZFP STB14NK50Z-STB14NK50Z-1-STW14NK50Z N-channel 500V - 0.34 - 14A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK/TO-247 Zener-protected SuperMESHTM Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID Pw 3 STP14NK50Z 500V

Другие IGBT... STB12NK80Z, STB12NM50, STB12NM50N, STB12NM50ND, STB13NK60ZT4, STB13NM60N, STB140NF55, STB140NF75, IRF1010E, STB14NK50Z, STB14NK60Z, STB14NM50N, STB150NF04, STB150NF55, STB155N3H6, STB155N3LH6, STB15NM60ND