STB180N55F3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STB180N55F3
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 330 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 55 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 150 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1450 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0035 Ohm
Paquete / Cubierta: D2PAK
Búsqueda de reemplazo de STB180N55F3 MOSFET
STB180N55F3 Datasheet (PDF)
stb180n55f3 stp180n55f3.pdf
STB180N55F3STP180N55F3N-channel 55V - 3.2m - 120A - D2PAK/TO-220STripFET Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) ID PwSTB180N55F3 55V 3.5m 120A(1) 330WSTP180N55F3 55V 3.8m 120A(1) 330W1. Value limited by wire bonding 33121 Ultra low on-resistance 100% avalanche tested TO-220 D2PAKDescriptionThis n-channel enhancement mode Power MOSFET is the l
stb18nf25 std18nf25.pdf
STB18NF25STD18NF25N-channel 250 V, 0.14 , 17 A DPAK, D2PAKlow gate charge STripFET II Power MOSFETFeaturesRDS(on) Type VDSS ID PTOTmaxSTB18NF25 250 V
stb18nm80 stf18nm80 stw18nm80 stp18nm80.pdf
STB18NM80, STF18NM80STP18NM80, STW18NM80N-channel 800 V, 0.25 , 17 A, MDmesh Power MOSFETD2PAK, TO-220FP, TO-220, TO-247FeaturesVDSS RDS(on) Type ID(@Tjmax) max33 22 1STB18NM80 800 V
stb18n65m5 std18n65m5.pdf
STB18N65M5, STD18N65M5N-channel 650 V, 0.198 typ., 15 A MDmesh V Power MOSFET in DPAK and DPAK packagesDatasheet production dataFeaturesVDSS @ RDS(on) Order codes IDTABTJmax maxTABSTB18N65M5710 V
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History: IRFN350 | IRFN450 | AP9585GH | IRFP150A | UT60N03L-TM3-T | RSS090P03TB
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