STB18N55M5 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STB18N55M5
Código: 18N55M5
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 90 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 550 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 25 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 13 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 5 V
Carga de la puerta (Qg): 31 nC
Tiempo de subida (tr): 9.5 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 38 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.24 Ohm
Paquete / Cubierta: D2PAK
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STB18N55M5 Datasheet (PDF)
stb18n55m5 std18n55m5 stf18n55m5 stp18n55m5.pdf
STB18N55M5, STD18N55M5STF18N55M5, STP18N55M5N-channel 550 V, 0.18 , 13 A, MDmesh V Power MOSFETin DPAK, DPAK, TO-220FP and TO-220FeaturesVDSS RDS(on) Order codes ID3@TJmax max131STB18N55M5DPAKDPAKSTD18N55M5550 V
stb18nf25 std18nf25.pdf
STB18NF25STD18NF25N-channel 250 V, 0.14 , 17 A DPAK, D2PAKlow gate charge STripFET II Power MOSFETFeaturesRDS(on) Type VDSS ID PTOTmaxSTB18NF25 250 V
stb18nm80 stf18nm80 stw18nm80 stp18nm80.pdf
STB18NM80, STF18NM80STP18NM80, STW18NM80N-channel 800 V, 0.25 , 17 A, MDmesh Power MOSFETD2PAK, TO-220FP, TO-220, TO-247FeaturesVDSS RDS(on) Type ID(@Tjmax) max33 22 1STB18NM80 800 V
stb18n65m5 std18n65m5.pdf
STB18N65M5, STD18N65M5N-channel 650 V, 0.198 typ., 15 A MDmesh V Power MOSFET in DPAK and DPAK packagesDatasheet production dataFeaturesVDSS @ RDS(on) Order codes IDTABTJmax maxTABSTB18N65M5710 V
stb18n60m2 stp18n60m2 stw18n60m2.pdf
STB18N60M2, STP18N60M2, STW18N60M2N-channel 600 V, 0.255 typ., 13 A MDmesh II Plus low Qg Power MOSFET in D2PAK, TO-220 and TO-247 packagesDatasheet - production dataFeaturesTABVDS @ RDS(on) 3 Order codes ID1 TJmax max2D PAKSTB18N60M2STP18N60M2 650 V 0.28 13 ATABSTW18N60M2 Extremely low gate charge3 3 Lower RDS(on) x area vs previous generation
stb18nm80 stf18nm80 stp18nm80 stw18nm80.pdf
STB18NM80, STF18NM80, STP18NM80, STW18NM80N-channel 800 V, 0.25 , 17 A, MDmesh Power MOSFET in DPAK, TO-220FP, TO-220 and TO-247 packagesDatasheet production dataFeaturesRDS(on) Order codes VDSS max ID3321STB18NM80 800 V
stb18n20.pdf
STB18N20N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORPRELIMINARY DATATYPE V R IDSS DS(on) DSTB18N20 200 V
stb18nm60nd stf18nm60nd stp18nm60nd stw18nm60nd.pdf
STB18NM60ND, STF18NM60ND, STP18NM60ND, STW18NM60NDN-channel 600 V - 0.25 typ., 13 A FDmesh II Power MOSFET (with fast diode) in D2PAK, TO-220FP, TO-220 and TO-247 packagesDatasheet - production dataFeaturesTABVDSS @ RDS(on) IDOrder codes3TJmaxmax132STB18NM60NDD2PAK 1TO-220FPSTF18NM60ND650 V
stb18nm60n stf18nm60n sti18nm60n stp18nm60n stw18nm60n.pdf
STB18NM60N, STF18NM60N, STI18NM60NSTP18NM60N, STW18NM60NN-channel 600 V, 0.27 , 13 A MDmesh II Power MOSFETin TO-220, TO-220FP, TO-247, DPAK and IPAKFeaturesVDSS RDS(on) Order codes ID PW(@Tjmax) max.3312STB18NM60N 110 W 1DPAKSTF18NM60N 30 WTO-24732STI18NM60N 650 V
stb18nf30.pdf
STB18NF30N-channel 330 V, 160 m, 18 A STripFET II Power MOSFET in DPAK packageDatasheet production dataFeaturesRDS(on) Order code VDSS IDmax.STB18NF30 330 V 180 m 18 A TAB 100% avalanche tested 175 C junction temperature31ApplicationsDPAK Switching applications AutomotiveDescriptionThis Power MOSFET has been developed using Figu
stb18nm60n stf18nm60n stp18nm60n stw18nm60n.pdf
STB18NM60N, STF18NM60N, STP18NM60N, STW18NM60NN-channel 600 V, 0.26 typ., 13 A MDmesh II Power MOSFET in D2PAK, TO-220FP, TO-220 and TO-247Datasheet production dataFeaturesTABVDSS RDS(on) Order codes ID PTOT(@Tjmax) max.3132STB18NM60N 110 W1DPAKSTF18NM60N 30 WTO-220FP650 V
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