STB18N55M5. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STB18N55M5

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 90 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 550 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 38 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.24 Ohm

Тип корпуса: D2PAK

Аналог (замена) для STB18N55M5

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STB18N55M5 даташит

 ..1. Size:1247K  st
stb18n55m5 std18n55m5 stf18n55m5 stp18n55m5.pdfpdf_icon

STB18N55M5

STB18N55M5, STD18N55M5 STF18N55M5, STP18N55M5 N-channel 550 V, 0.18 , 13 A, MDmesh V Power MOSFET in D PAK, DPAK, TO-220FP and TO-220 Features VDSS RDS(on) Order codes ID 3 @TJmax max 1 3 1 STB18N55M5 DPAK D PAK STD18N55M5 550 V

 8.1. Size:1107K  st
stb18nf25 std18nf25.pdfpdf_icon

STB18N55M5

STB18NF25 STD18NF25 N-channel 250 V, 0.14 , 17 A DPAK, D2PAK low gate charge STripFET II Power MOSFET Features RDS(on) Type VDSS ID PTOT max STB18NF25 250 V

 8.2. Size:963K  st
stb18nm80 stf18nm80 stw18nm80 stp18nm80.pdfpdf_icon

STB18N55M5

STB18NM80, STF18NM80 STP18NM80, STW18NM80 N-channel 800 V, 0.25 , 17 A, MDmesh Power MOSFET D2PAK, TO-220FP, TO-220, TO-247 Features VDSS RDS(on) Type ID (@Tjmax) max 3 3 2 2 1 STB18NM80 800 V

 8.3. Size:1015K  st
stb18n65m5 std18n65m5.pdfpdf_icon

STB18N55M5

STB18N65M5, STD18N65M5 N-channel 650 V, 0.198 typ., 15 A MDmesh V Power MOSFET in D PAK and DPAK packages Datasheet production data Features VDSS @ RDS(on) Order codes ID TAB TJmax max TAB STB18N65M5 710 V

Другие IGBT... STB15NM60ND, STB160N75F3, STB160NF3LL, STB16N65M5, STB16NF06L, STB170NF04, STB180N55F3, STB185N55F3, 10N65, STB18NF25, STB18NM60N, STB18NM80, STB190NF04, STB19NF20, STB200N4F3, STB200N6F3, STB200NF03