STB190NF04 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STB190NF04
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 310 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 380 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1500 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0043 Ohm
Paquete / Cubierta: D2PAK
Búsqueda de reemplazo de MOSFET STB190NF04
STB190NF04 Datasheet (PDF)
stp190nf04 stb190nf04 stb190nf04-1.pdf
STP190NF04STB190NF04 - STB190NF04-1N-channel 40V - 0.0039 - 120A - D2PAK/I2PAK/TO-220STripFET III Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTP190NF04 40V
stb190nf04-1 stb190nf04t4 stp190nf04.pdf
STP190NF04STB190NF04 - STB190NF04-1N-channel 40V - 0.0039 - 120A - D2PAK/I2PAK/TO-220STripFET III Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTP190NF04 40V
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STB19NF20, STF19NF20, STP19NF20N-channel 200 V, 0.15 typ., 15 A MESH OVERLAY Power MOSFET in D2PAK, TO-220FP and TO-220 packagesDatasheet production dataFeaturesTABType VDSS RDS(on) ID pwSTB19NF20 200V
stb19nm65n sti19nm65n stf19nm65n stp19nm65n stw19nm65n.pdf
STF19NM65N-STI19NM65N-STW19NM65NSTB19NM65N - STP19NM65NN-channel 650 V - 0.25 - 15.5 A - TO-220/FP-D2/I2PAK-TO-247second generation MDmesh Power MOSFETFeaturesVDSS Type RDS(on) max ID(@Tjmax)323121STB19NM65N 710 V
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STP19NB20 - STP19NB20FPSTB19NB20-1N-CHANNEL 200V - 0.15 - 19A - TO-220/TO-220FP/I2PAKPowerMESH MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTP19NB20 200 V
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STP19NB20 - STP19NB20FPSTB19NB20-1N-CHANNEL 200V - 0.15 - 19A - TO-220/TO-220FP/I2PAKPowerMESH MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTP19NB20 200 V
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STF19NM65N-STI19NM65N-STW19NM65NSTB19NM65N - STP19NM65NN-channel 650 V - 0.25 - 15.5 A - TO-220/FP-D2/I2PAK-TO-247second generation MDmesh Power MOSFETFeaturesVDSS Type RDS(on) max ID(@Tjmax)323121STB19NM65N 710 V
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STB19NB20N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPowerMESH MOSFETPRELIMINARY DATATYPE V R IDSS DS(on) DSTB19NB20 200 V
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STB19NF20, STD19NF20STF19NF20, STP19NF20DatasheetN-channel 200 V, 0.11 , 15 A, MESH OVERLAY Power MOSFETs in D2PAK, DPAK, TO220FP and TO-220 packagesFeaturesTABTAB32 VDS RDS(on) max. IDType Package311DPAK2D PAKSTB19NF20D2PAKTABSTD19NF20 DPAK200 V 0.16 15 ASTF19NF20 TO-220FP3231STP19NF20 TO-22021TO-220TO-220FP Extremel
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STB19NF20 - STF19NF20STP19NF20N-channel 200V - 0.15 - 15A - TO-220 - D2PAK - TO-220FPMESH OVERLAY Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) ID pwSTB19NF20 200V
Otros transistores... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918