STB190NF04 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: STB190NF04
Маркировка: B190NF04
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 310 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 130 nC
trⓘ - Время нарастания: 380 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1500 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0043 Ohm
Тип корпуса: D2PAK
Аналог (замена) для STB190NF04
STB190NF04 Datasheet (PDF)
stp190nf04 stb190nf04 stb190nf04-1.pdf
STP190NF04STB190NF04 - STB190NF04-1N-channel 40V - 0.0039 - 120A - D2PAK/I2PAK/TO-220STripFET III Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTP190NF04 40V
stb190nf04-1 stb190nf04t4 stp190nf04.pdf
STP190NF04STB190NF04 - STB190NF04-1N-channel 40V - 0.0039 - 120A - D2PAK/I2PAK/TO-220STripFET III Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTP190NF04 40V
stb19nf20 stf19nf20 stp19nf20.pdf
STB19NF20, STF19NF20, STP19NF20N-channel 200 V, 0.15 typ., 15 A MESH OVERLAY Power MOSFET in D2PAK, TO-220FP and TO-220 packagesDatasheet production dataFeaturesTABType VDSS RDS(on) ID pwSTB19NF20 200V
stb19nm65n sti19nm65n stf19nm65n stp19nm65n stw19nm65n.pdf
STF19NM65N-STI19NM65N-STW19NM65NSTB19NM65N - STP19NM65NN-channel 650 V - 0.25 - 15.5 A - TO-220/FP-D2/I2PAK-TO-247second generation MDmesh Power MOSFETFeaturesVDSS Type RDS(on) max ID(@Tjmax)323121STB19NM65N 710 V
stb19nb20 stp19nb20 stp19nb20fp.pdf
STP19NB20 - STP19NB20FPSTB19NB20-1N-CHANNEL 200V - 0.15 - 19A - TO-220/TO-220FP/I2PAKPowerMESH MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTP19NB20 200 V
stb19nb20-1 stp19nb20 stp19nb20fp.pdf
STP19NB20 - STP19NB20FPSTB19NB20-1N-CHANNEL 200V - 0.15 - 19A - TO-220/TO-220FP/I2PAKPowerMESH MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTP19NB20 200 V
stb19nm65n stf19nm65n sti19nm65n stp19nm65n stw19nm65n.pdf
STF19NM65N-STI19NM65N-STW19NM65NSTB19NM65N - STP19NM65NN-channel 650 V - 0.25 - 15.5 A - TO-220/FP-D2/I2PAK-TO-247second generation MDmesh Power MOSFETFeaturesVDSS Type RDS(on) max ID(@Tjmax)323121STB19NM65N 710 V
stb19n20.pdf
STB19NB20N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPowerMESH MOSFETPRELIMINARY DATATYPE V R IDSS DS(on) DSTB19NB20 200 V
stb19nf20 std19nf20 stf19nf20 stp19nf20.pdf
STB19NF20, STD19NF20STF19NF20, STP19NF20DatasheetN-channel 200 V, 0.11 , 15 A, MESH OVERLAY Power MOSFETs in D2PAK, DPAK, TO220FP and TO-220 packagesFeaturesTABTAB32 VDS RDS(on) max. IDType Package311DPAK2D PAKSTB19NF20D2PAKTABSTD19NF20 DPAK200 V 0.16 15 ASTF19NF20 TO-220FP3231STP19NF20 TO-22021TO-220TO-220FP Extremel
stb19nf20 stf9nf20 stp19nf20.pdf
STB19NF20 - STF19NF20STP19NF20N-channel 200V - 0.15 - 15A - TO-220 - D2PAK - TO-220FPMESH OVERLAY Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) ID pwSTB19NF20 200V
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRFP250N , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
History: SEFM150 | SVG094R1NSTR
History: SEFM150 | SVG094R1NSTR
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918