STB22NM60N MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

STB22NM60N MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STB22NM60N

Código: 22NM60N

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VGSth|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V

Qgⓘ - Carga de la puerta: 44 nC

trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 84 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.22 Ohm

Encapsulados: D2PAK

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STB22NM60N datasheet

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STB22NM60N, STF22NM60N, STP22NM60N Datasheet N-channel 600 V, 0.20 typ., 16 A MDmesh II Power MOSFETs in D PAK, TO-220FP and TO-220 packages Features TAB VDS @ 3 1 RDS(on)max. ID Order code 2 D PAK Tjmax. 3 2 1 TO-220FP TAB STB22NM60N STF22NM60N 650 V 0.22 16 A 3 2 STP22NM60N 1 TO-220 100% avalanche tested D(2, TAB) Low input capacitance and gate charg

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STB22NS25Z - STP22NS25Z N-channel 250V - 0.13 - 22A - TO-220 / D2PAK Zener-protected MESH OVERLAY Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID STB22NS25Z 250V

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STB22NS25Z - STP22NS25Z N-channel 250V - 0.13 - 22A - TO-220 / D2PAK Zener-protected MESH OVERLAY Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID STB22NS25Z 250V

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