STB22NM60N Todos los transistores

 

STB22NM60N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STB22NM60N
   Código: 22NM60N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 44 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 84 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.22 Ohm
   Paquete / Cubierta: D2PAK
 

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STB22NM60N Datasheet (PDF)

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STB22NM60N

STB22NM60N, STF22NM60N, STI22NM60NSTP22NM60N, STW22NM60NN-channel 600 V, 0.2 , 16 A MDmesh II Power MOSFETin D2PAK, TO-220FP, I2PAK, TO-220 and TO-247FeaturesVDSS RDS(on) Order codes ID(@Tjmax) max.31332STB22NM60N 650 V

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STB22NM60N

STB22NM60N, STF22NM60N, STP22NM60NDatasheetN-channel 600 V, 0.20 typ., 16 A MDmesh II Power MOSFETs in DPAK, TO-220FP and TO-220 packagesFeaturesTABVDS @31 RDS(on)max. IDOrder code2D PAKTjmax.321TO-220FPTAB STB22NM60NSTF22NM60N 650 V 0.22 16 A32 STP22NM60N1TO-220 100% avalanche testedD(2, TAB) Low input capacitance and gate charg

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STB22NM60N

STB22NS25Z - STP22NS25ZN-channel 250V - 0.13 - 22A - TO-220 / D2PAKZener-protected MESH OVERLAY Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTB22NS25Z 250V

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STB22NM60N

STB22NS25Z - STP22NS25ZN-channel 250V - 0.13 - 22A - TO-220 / D2PAKZener-protected MESH OVERLAY Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTB22NS25Z 250V

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History: WTC2305DS

 

 
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