STB22NM60N. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STB22NM60N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 84 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.22 Ohm

Тип корпуса: D2PAK

Аналог (замена) для STB22NM60N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STB22NM60N даташит

 ..1. Size:818K  st
 stb22nm60n stf22nm60n sti22nm60n stp22nm60n stw22nm60n.pdf pdf_icon

STB22NM60N

 ..2. Size:593K  st
 stb22nm60n stf22nm60n stp22nm60n.pdf pdf_icon

STB22NM60N

STB22NM60N, STF22NM60N, STP22NM60N Datasheet N-channel 600 V, 0.20 typ., 16 A MDmesh II Power MOSFETs in D PAK, TO-220FP and TO-220 packages Features TAB VDS @ 3 1 RDS(on)max. ID Order code 2 D PAK Tjmax. 3 2 1 TO-220FP TAB STB22NM60N STF22NM60N 650 V 0.22 16 A 3 2 STP22NM60N 1 TO-220 100% avalanche tested D(2, TAB) Low input capacitance and gate charg

 8.1. Size:309K  st
 stb22ns25zt4.pdf pdf_icon

STB22NM60N

STB22NS25Z - STP22NS25Z N-channel 250V - 0.13 - 22A - TO-220 / D2PAK Zener-protected MESH OVERLAY Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID STB22NS25Z 250V

 8.2. Size:316K  st
 stb22ns25z stp22ns25z.pdf pdf_icon

STB22NM60N

STB22NS25Z - STP22NS25Z N-channel 250V - 0.13 - 22A - TO-220 / D2PAK Zener-protected MESH OVERLAY Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID STB22NS25Z 250V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... STB200N6F3, STB200NF03, STB20NM50FD, STB20NM60, STB20NM60D, STB21N65M5, STB21NK50Z, STB21NM60ND, AO3400A, STB22NS25Z, STB230NH03L, STB23NM50N, STB23NM60ND, STB24NM60N, STB24NM65N, STB25NM50N, STB25NM60ND