STB230NH03L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STB230NH03L
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 250 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 322 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1600 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.003 Ohm
Paquete / Cubierta: D2PAK
Búsqueda de reemplazo de MOSFET STB230NH03L
STB230NH03L Datasheet (PDF)
stb230nh03l.pdf
STB230NH03LN-channel 30V - 80A - D2PAKSTripFET Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) IDSTB230NH03L 30V
stb23nm60n stf23nm60n sti23nm60n stp23nm60n stw23nm60n.pdf
STB23NM60N-STF23NM60NSTI23NM60N-STP23NM60N-STW23NM60NN-channel 600 V - 0.150 - 19 A - D2PAK - I2PAK - TO-220/FPTO-247, second generation MDmesh Power MOSFETFeaturesVDSS RDS(on) Type ID3(@Tjmax) max31 21STB23NM60N 19 ADPAKIPAKSTI23NM60N 19 A3STF23NM60N 650 V 0.180 19 A (1)21STP23NM60N 19 ATO-247STW23NM60N 19 A3 32 21 11. Limited
stb23nm60nd sti23nm60nd stf23nm60nd stp23nm60nd stw23nm60nd.pdf
STx23NM60NDN-channel 600 V, 0.150 , 19.5 A, FDmesh II Power MOSFET(with fast diode) DPAK, IPAK, TO-220, TO-220FP, TO-247FeaturesVDSS RDS(on) Type ID3max.3(@Tjmax)1 21STx23NM60ND 650 V
stb23n80k5.pdf
STB23N80K5 N-channel 800 V, 0.23 typ., 16 A MDmesh K5 Power MOSFET in a DPAK package Datasheet - production data Features Order code V R max. I P DS DS(on) D TOTTABSTB23N80K5 800 V 0.28 16 A 190 W Industrys lowest R x area DS(on)3 Industrys best figure of merit (FoM) 1 Ultra low gate charge 100% avalanche tested Zener-protected
stb23nm60n stf23nm60n sti23nm60n stp23nm60n stw23nm60n.pdf
STB23NM60N-STF23NM60NSTI23NM60N-STP23NM60N-STW23NM60NN-channel 600 V - 0.150 - 19 A - D2PAK - I2PAK - TO-220/FPTO-247, second generation MDmesh Power MOSFETFeaturesVDSS RDS(on) Type ID3(@Tjmax) max31 21STB23NM60N 19 ADPAKIPAKSTI23NM60N 19 A3STF23NM60N 650 V 0.180 19 A (1)21STP23NM60N 19 ATO-247STW23NM60N 19 A3 32 21 11. Limited
stb23nm50n stf23nm50n stp23nm50n stw23nm50n.pdf
STB23NM50N, STF23NM50NSTP23NM50N, STW23NM50NN-channel 500 V, 0.162 , 17 A TO-220, TO-220FP, TO-247, D2PAKMDmesh II Power MOSFETFeaturesVDSS RDS(on) Type ID(@Tjmax) max33221STB23NM50N1TO-220FP TO-220STF23NM50N550 V
stb23nm60nd.pdf
INCHANGE SemiconductorIsc N-Channel MOSFET Transistor STB23NM60NDFEATURESWith To-263(D2PAK) packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALU
stb23nm50n.pdf
INCHANGE SemiconductorIsc N-Channel MOSFET Transistor STB23NM50NFEATURESWith To-263(D2PAK) packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE
Otros transistores... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
Liste
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