Справочник MOSFET. STB230NH03L

 

STB230NH03L MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: STB230NH03L
   Маркировка: B230NH03L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 250 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 72 nC
   trⓘ - Время нарастания: 322 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1600 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.003 Ohm
   Тип корпуса: D2PAK

 Аналог (замена) для STB230NH03L

 

 

STB230NH03L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:416K  st
 stb230nh03l.pdf

STB230NH03L STB230NH03L

STB230NH03LN-channel 30V - 80A - D2PAKSTripFET Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) IDSTB230NH03L 30V

 9.1. Size:560K  st
 stb23nm60n stf23nm60n sti23nm60n stp23nm60n stw23nm60n.pdf

STB230NH03L STB230NH03L

STB23NM60N-STF23NM60NSTI23NM60N-STP23NM60N-STW23NM60NN-channel 600 V - 0.150 - 19 A - D2PAK - I2PAK - TO-220/FPTO-247, second generation MDmesh Power MOSFETFeaturesVDSS RDS(on) Type ID3(@Tjmax) max31 21STB23NM60N 19 ADPAKIPAKSTI23NM60N 19 A3STF23NM60N 650 V 0.180 19 A (1)21STP23NM60N 19 ATO-247STW23NM60N 19 A3 32 21 11. Limited

 9.2. Size:814K  st
 stb23nm60nd sti23nm60nd stf23nm60nd stp23nm60nd stw23nm60nd.pdf

STB230NH03L STB230NH03L

STx23NM60NDN-channel 600 V, 0.150 , 19.5 A, FDmesh II Power MOSFET(with fast diode) DPAK, IPAK, TO-220, TO-220FP, TO-247FeaturesVDSS RDS(on) Type ID3max.3(@Tjmax)1 21STx23NM60ND 650 V

 9.3. Size:897K  st
 stb23n80k5.pdf

STB230NH03L STB230NH03L

STB23N80K5 N-channel 800 V, 0.23 typ., 16 A MDmesh K5 Power MOSFET in a DPAK package Datasheet - production data Features Order code V R max. I P DS DS(on) D TOTTABSTB23N80K5 800 V 0.28 16 A 190 W Industrys lowest R x area DS(on)3 Industrys best figure of merit (FoM) 1 Ultra low gate charge 100% avalanche tested Zener-protected

 9.4. Size:558K  st
 stb23nm60n stf23nm60n sti23nm60n stp23nm60n stw23nm60n.pdf

STB230NH03L STB230NH03L

STB23NM60N-STF23NM60NSTI23NM60N-STP23NM60N-STW23NM60NN-channel 600 V - 0.150 - 19 A - D2PAK - I2PAK - TO-220/FPTO-247, second generation MDmesh Power MOSFETFeaturesVDSS RDS(on) Type ID3(@Tjmax) max31 21STB23NM60N 19 ADPAKIPAKSTI23NM60N 19 A3STF23NM60N 650 V 0.180 19 A (1)21STP23NM60N 19 ATO-247STW23NM60N 19 A3 32 21 11. Limited

 9.5. Size:757K  st
 stb23nm50n stf23nm50n stp23nm50n stw23nm50n.pdf

STB230NH03L STB230NH03L

STB23NM50N, STF23NM50NSTP23NM50N, STW23NM50NN-channel 500 V, 0.162 , 17 A TO-220, TO-220FP, TO-247, D2PAKMDmesh II Power MOSFETFeaturesVDSS RDS(on) Type ID(@Tjmax) max33221STB23NM50N1TO-220FP TO-220STF23NM50N550 V

 9.6. Size:203K  inchange semiconductor
 stb23nm60nd.pdf

STB230NH03L STB230NH03L

INCHANGE SemiconductorIsc N-Channel MOSFET Transistor STB23NM60NDFEATURESWith To-263(D2PAK) packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALU

 9.7. Size:203K  inchange semiconductor
 stb23nm50n.pdf

STB230NH03L STB230NH03L

INCHANGE SemiconductorIsc N-Channel MOSFET Transistor STB23NM50NFEATURESWith To-263(D2PAK) packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top