STB23NM50N MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STB23NM50N

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 17 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 19 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 84 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.19 Ohm

Encapsulados: D2PAK

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STB23NM50N datasheet

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STB23NM50N

 ..2. Size:203K  inchange semiconductor
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STB23NM50N

INCHANGE Semiconductor Isc N-Channel MOSFET Transistor STB23NM50N FEATURES With To-263(D2PAK) package Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE

 7.1. Size:560K  st
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STB23NM50N

STB23NM60N-STF23NM60N STI23NM60N-STP23NM60N-STW23NM60N N-channel 600 V - 0.150 - 19 A - D2PAK - I2PAK - TO-220/FP TO-247, second generation MDmesh Power MOSFET Features VDSS RDS(on) Type ID 3 (@Tjmax) max 3 1 2 1 STB23NM60N 19 A D PAK I PAK STI23NM60N 19 A 3 STF23NM60N 650 V 0.180 19 A (1) 2 1 STP23NM60N 19 A TO-247 STW23NM60N 19 A 3 3 2 2 1 1 1. Limited

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STB23NM50N

STx23NM60ND N-channel 600 V, 0.150 , 19.5 A, FDmesh II Power MOSFET (with fast diode) D PAK, I PAK, TO-220, TO-220FP, TO-247 Features VDSS RDS(on) Type ID 3 max. 3 (@Tjmax) 1 2 1 STx23NM60ND 650 V

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