STB24NM60N MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STB24NM60N
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 17 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 16.5 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 44 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.19 Ohm
Encapsulados: D2PAK
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STB24NM60N datasheet
stb24nm60n.pdf
STB24NM60N N-channel 600 V, 0.168 , 17 A MDmesh II Power MOSFET D PAK Features VDSS RDS(on) Order codes ID (@Tjmax) max. STB24NM60N 650 V
stb24nm60n.pdf
INCHANGE Semiconductor Isc N-Channel MOSFET Transistor STB24NM60N FEATURES With To-263(D2PAK) package Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE
stb24nf10 stp24nf10.pdf
STB24NF10 STP24NF10 N-channel 100V - 0.0055 - 26A - TO-220 - D PAK Low gate charge STripFET II Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID STB24NF10 100V
Otros transistores... STB21N65M5, STB21NK50Z, STB21NM60ND, STB22NM60N, STB22NS25Z, STB230NH03L, STB23NM50N, STB23NM60ND, IRFZ48N, STB24NM65N, STB25NM50N, STB25NM60ND, STB26NM60N, STB270N4F3, STB28NM50N, STB300NH02L, STB30N65M5
History: STP20NF06L
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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