STB24NM60N. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STB24NM60N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 16.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 44 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.19 Ohm

Тип корпуса: D2PAK

Аналог (замена) для STB24NM60N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STB24NM60N даташит

 ..1. Size:878K  st
 stb24nm60n.pdf pdf_icon

STB24NM60N

STB24NM60N N-channel 600 V, 0.168 , 17 A MDmesh II Power MOSFET D PAK Features VDSS RDS(on) Order codes ID (@Tjmax) max. STB24NM60N 650 V

 ..2. Size:203K  inchange semiconductor
 stb24nm60n.pdf pdf_icon

STB24NM60N

INCHANGE Semiconductor Isc N-Channel MOSFET Transistor STB24NM60N FEATURES With To-263(D2PAK) package Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE

 6.1. Size:556K  st
 stb24nm65n sti24nm65n stf24nm65n stp24nm65n stw24nm65n.pdf pdf_icon

STB24NM60N

 8.1. Size:419K  st
 stb24nf10 stp24nf10.pdf pdf_icon

STB24NM60N

STB24NF10 STP24NF10 N-channel 100V - 0.0055 - 26A - TO-220 - D PAK Low gate charge STripFET II Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID STB24NF10 100V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... STB21N65M5, STB21NK50Z, STB21NM60ND, STB22NM60N, STB22NS25Z, STB230NH03L, STB23NM50N, STB23NM60ND, IRFZ48N, STB24NM65N, STB25NM50N, STB25NM60ND, STB26NM60N, STB270N4F3, STB28NM50N, STB300NH02L, STB30N65M5