STB24NM65N MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STB24NM65N
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 160 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 19 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.19 Ohm
Encapsulados: D2PAK
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STB24NM65N datasheet
stb24nm60n.pdf
STB24NM60N N-channel 600 V, 0.168 , 17 A MDmesh II Power MOSFET D PAK Features VDSS RDS(on) Order codes ID (@Tjmax) max. STB24NM60N 650 V
stb24nm60n.pdf
INCHANGE Semiconductor Isc N-Channel MOSFET Transistor STB24NM60N FEATURES With To-263(D2PAK) package Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE
stb24nf10 stp24nf10.pdf
STB24NF10 STP24NF10 N-channel 100V - 0.0055 - 26A - TO-220 - D PAK Low gate charge STripFET II Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID STB24NF10 100V
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Liste
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