STB25NM50N MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

STB25NM50N MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STB25NM50N

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 160 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 22 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 23 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 511 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.14 Ohm

Encapsulados: D2PAK

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STB25NM50N datasheet

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STx25NM50N N-channel 500 V, 0.11 , 22 A MDmesh II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, I2PAK, D2PAK, TO-247 Features VDSS RDS(on) Type ID (@Tjmax) max 3 2 3 1 2 1 STB25NM50N 550 V

..2. Size:605K st
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STx25NM50N N-channel 500 V, 0.11 , 22 A MDmesh II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, I2PAK, D2PAK, TO-247 Features VDSS RDS(on) Type ID (@Tjmax) max 3 2 3 1 2 1 STB25NM50N 550 V

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STx25NM50N N-channel 500 V, 0.11 , 22 A MDmesh II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, I2PAK, D2PAK, TO-247 Features VDSS RDS(on) Type ID (@Tjmax) max 3 2 3 1 2 1 STB25NM50N 550 V

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STB25NM60Nx - STF25NM60N STP25NM60N - STW25NM60N N-channel 600 V, 0.130 , 21 A, MDmesh II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, I2PAK, D2PAK, TO-247 Features VDSS RDS(on) Type ID (@Tjmax) max 3 3 2 2 1 1 STB25NM60N 650 V

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