STB25NM50N Todos los transistores

 

STB25NM50N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STB25NM50N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 160 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 22 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 23 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 511 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.14 Ohm
   Paquete / Cubierta: D2PAK
 

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STB25NM50N Datasheet (PDF)

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STB25NM50N

STx25NM50NN-channel 500 V, 0.11 , 22 A MDmesh II Power MOSFETTO-220, TO-220FP, I2PAK, D2PAK, TO-247FeaturesVDSS RDS(on) Type ID(@Tjmax) max323121STB25NM50N 550 V

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STB25NM50N

STx25NM50NN-channel 500 V, 0.11 , 22 A MDmesh II Power MOSFETTO-220, TO-220FP, I2PAK, D2PAK, TO-247FeaturesVDSS RDS(on) Type ID(@Tjmax) max323121STB25NM50N 550 V

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STB25NM50N

STx25NM50NN-channel 500 V, 0.11 , 22 A MDmesh II Power MOSFETTO-220, TO-220FP, I2PAK, D2PAK, TO-247FeaturesVDSS RDS(on) Type ID(@Tjmax) max323121STB25NM50N 550 V

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STB25NM50N

STB25NM60Nx - STF25NM60NSTP25NM60N - STW25NM60NN-channel 600 V, 0.130 , 21 A, MDmesh II Power MOSFETTO-220, TO-220FP, I2PAK, D2PAK, TO-247FeaturesVDSS RDS(on) Type ID(@Tjmax) max332211STB25NM60N 650 V

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History: TPC8063-H | SQ3469EV | IRL2703SPBF

 

 
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