STB25NM50N. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STB25NM50N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 160 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 22 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 511 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.14 Ohm

Тип корпуса: D2PAK

Аналог (замена) для STB25NM50N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STB25NM50N даташит

 ..1. Size:610K  st
 stb25nm50n stf25nm50n stp25nm50n stw25nm50n.pdf pdf_icon

STB25NM50N

STx25NM50N N-channel 500 V, 0.11 , 22 A MDmesh II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, I2PAK, D2PAK, TO-247 Features VDSS RDS(on) Type ID (@Tjmax) max 3 2 3 1 2 1 STB25NM50N 550 V

 ..2. Size:605K  st
 stw25nm50n stf25nm50n stb25nm50n std25nm50n.pdf pdf_icon

STB25NM50N

STx25NM50N N-channel 500 V, 0.11 , 22 A MDmesh II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, I2PAK, D2PAK, TO-247 Features VDSS RDS(on) Type ID (@Tjmax) max 3 2 3 1 2 1 STB25NM50N 550 V

 0.1. Size:612K  st
 stb25nm50n-1 stf25nm50n stw25nm50n.pdf pdf_icon

STB25NM50N

STx25NM50N N-channel 500 V, 0.11 , 22 A MDmesh II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, I2PAK, D2PAK, TO-247 Features VDSS RDS(on) Type ID (@Tjmax) max 3 2 3 1 2 1 STB25NM50N 550 V

 7.1. Size:586K  st
 stb25nm60n-1 stb25nm60n stf25nm60n stp25nm60n stw25nm60n.pdf pdf_icon

STB25NM50N

STB25NM60Nx - STF25NM60N STP25NM60N - STW25NM60N N-channel 600 V, 0.130 , 21 A, MDmesh II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, I2PAK, D2PAK, TO-247 Features VDSS RDS(on) Type ID (@Tjmax) max 3 3 2 2 1 1 STB25NM60N 650 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... STB21NM60ND, STB22NM60N, STB22NS25Z, STB230NH03L, STB23NM50N, STB23NM60ND, STB24NM60N, STB24NM65N, IRF830, STB25NM60ND, STB26NM60N, STB270N4F3, STB28NM50N, STB300NH02L, STB30N65M5, STB30NF10, STB30NF20