STB35NF10 Todos los transistores

 

STB35NF10 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STB35NF10
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 115 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 60 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 220 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.035 Ohm
   Paquete / Cubierta: D2PAK

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET STB35NF10

 

STB35NF10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:421K  st
stb35nf10 stp35nf10.pdf

STB35NF10
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STB35NF10STP35NF10N-channel 100V - 0.030 - 40A - D2PAK/TO-220Low gate charge STripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTB35NF10 100V

 0.1. Size:413K  st
stb35nf10t4.pdf

STB35NF10
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STB35NF10STP35NF10N-channel 100V - 0.030 - 40A - D2PAK/TO-220Low gate charge STripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTB35NF10 100V

 8.1. Size:1202K  st
stb35n65m5 stf35n65m5 sti35n65m5 stp35n65m5 stw35n65m5.pdf

STB35NF10
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STB35N65M5, STF35N65M5, STI35N65M5STP35N65M5, STW35N65M5N-channel 650 V, 0.085 , 27 A, MDmesh V Power MOSFETin D2PAK, I2PAK, TO-220FP, TO-220, TO-247FeaturesVDSS @ Type RDS(on) max IDTJMAX 33123 12STB35N65M5 710 V

 8.2. Size:761K  st
stb35n60dm2.pdf

STB35NF10
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STB35N60DM2 N-channel 600 V, 0.094 typ., 28 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package Datasheet - production data Features R DS(on)Order code VDS ID PTOT TAB max. STB35N60DM2 600 V 0.110 28 A 210 W 3 Fast-recovery body diode 1 Extremely low gate charge and input capacitance Low on-resistance D2PAK 100% avalanche tested Extremely

 8.3. Size:204K  inchange semiconductor
stb35n65m5.pdf

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INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor STB35N65M5FEATURESWith TO-263( D2PAK ) packagingHigh speed switchingLow gate input resistanceStandard level gate driveEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplySwitching applicationsABSOLUTE MAXIM

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