STB40NS15 MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

STB40NS15 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STB40NS15

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 150 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 45 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 380 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.052 Ohm

Encapsulados: D2PAK

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STB40NS15 datasheet

..1. Size:317K st
stb40ns15.pdf pdf_icon

STB40NS15 N-channel 150V - 0.045 - 40A - D2PAK MESH OVERLAY Power MOSFET Features RDS(on) Type VDSS ID (max) STB40NS15 150V

0.1. Size:316K st
stb40ns15t4.pdf pdf_icon

STB40NS15 N-channel 150V - 0.045 - 40A - D2PAK MESH OVERLAY Power MOSFET Features RDS(on) Type VDSS ID (max) STB40NS15 150V

8.1. Size:400K st
stb40nf10l.pdf pdf_icon

STB40NF10L N-channel 100V - 0.028 - 40A - D2PAK Low gate charge STripFET II Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID STB40NF10L 100V

8.2. Size:477K st
stp40nf20 stf40nf20 stb40nf20 stw40nf20.pdf pdf_icon

STP40NF20 - STF40NF20 STB40NF20 - STW40NF20 N-channel 200V - 0.038 -40A- D2PAK/TO-220/TO-220FP/TO-247 Low gate charge STripFET Power MOSFET Features Type VDSS RDS(on) ID PW 3 STB40NF20 200V

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