STB40NS15 Todos los transistores

 

STB40NS15 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STB40NS15
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 45 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 380 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.052 Ohm
   Paquete / Cubierta: D2PAK
     - Selección de transistores por parámetros

 

STB40NS15 Datasheet (PDF)

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 stb40ns15.pdf pdf_icon

STB40NS15

STB40NS15N-channel 150V - 0.045 - 40A - D2PAKMESH OVERLAY Power MOSFETFeaturesRDS(on)Type VDSS ID(max)STB40NS15 150V

 0.1. Size:316K  st
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STB40NS15

STB40NS15N-channel 150V - 0.045 - 40A - D2PAKMESH OVERLAY Power MOSFETFeaturesRDS(on)Type VDSS ID(max)STB40NS15 150V

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STB40NS15

STB40NF10LN-channel 100V - 0.028 - 40A - D2PAKLow gate charge STripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTB40NF10L 100V

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 stp40nf20 stf40nf20 stb40nf20 stw40nf20.pdf pdf_icon

STB40NS15

STP40NF20 - STF40NF20STB40NF20 - STW40NF20N-channel 200V - 0.038 -40A- D2PAK/TO-220/TO-220FP/TO-247Low gate charge STripFET Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) ID PW3STB40NF20 200V

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History: FQB55N10TM | MTN50N06E3 | SSFT4004 | DMP3056L | CPC3730 | IPI051N15N5 | SM3116NAF

 

 
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