STB40NS15. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STB40NS15

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 45 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 380 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.052 Ohm

Тип корпуса: D2PAK

Аналог (замена) для STB40NS15

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STB40NS15 даташит

 ..1. Size:317K  st
 stb40ns15.pdf pdf_icon

STB40NS15

STB40NS15 N-channel 150V - 0.045 - 40A - D2PAK MESH OVERLAY Power MOSFET Features RDS(on) Type VDSS ID (max) STB40NS15 150V

 0.1. Size:316K  st
 stb40ns15t4.pdf pdf_icon

STB40NS15

STB40NS15 N-channel 150V - 0.045 - 40A - D2PAK MESH OVERLAY Power MOSFET Features RDS(on) Type VDSS ID (max) STB40NS15 150V

 8.1. Size:400K  st
 stb40nf10l.pdf pdf_icon

STB40NS15

STB40NF10L N-channel 100V - 0.028 - 40A - D2PAK Low gate charge STripFET II Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID STB40NF10L 100V

 8.2. Size:477K  st
 stp40nf20 stf40nf20 stb40nf20 stw40nf20.pdf pdf_icon

STB40NS15

STP40NF20 - STF40NF20 STB40NF20 - STW40NF20 N-channel 200V - 0.038 -40A- D2PAK/TO-220/TO-220FP/TO-247 Low gate charge STripFET Power MOSFET Features Type VDSS RDS(on) ID PW 3 STB40NF20 200V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... STB35NF10, STB36NF06L, STB36NM60N, STB3N62K3, STB3NK60Z, STB40NF10, STB40NF10L, STB40NF20, 50N06, STB42N65M5, STB45NF06, STB4N62K3, STB4NK60Z, STB4NK60Z-1, STB50N25M5, STB50NF25, STB55NF03L