STB4N62K3 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STB4N62K3

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 70 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 620 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 60 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.95 Ohm

Encapsulados: D2PAK

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STB4N62K3 datasheet

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stb4n62k3 stf4n62k3 stp4n62k3 sti4n62k3.pdf pdf_icon

STB4N62K3

STB4N62K3, STF4N62K3 STI4N62K3, STP4N62K3 N-channel 620 V, 1.8 , 3.8 A SuperMESH3 Power MOSFET D2PAK, TO-220FP, I2PAK, TO-220 Preliminary data Features RDS(on) Type VDSS ID Pw max 3 3 3 1 1 STB4N62K3 70 W 2 1 D PAK STF4N62K3 25 W TO-220FP 620 V

 ..2. Size:1006K  st
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STB4N62K3

STB4N62K3 STD4N62K3 N-channel 620 V, 1.7 , 3.8 A SuperMESH3 Power MOSFET DPAK, D PAK Features Order codes VDSS RDS(on) max ID Pw STB4N62K3 620 V

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stb4nk60z-1 stb4nk60zt4 std4nk60z-1 std4nk60zt4.pdf pdf_icon

STB4N62K3

STB4NK60Z-1, STB4NK60ZT4 STD4NK60Z-1, STD4NK60ZT4 Datasheet N-channel 600 V, 1.7 typ., 4 A SuperMESH Power MOSFETs in I2PAK, D2PAK, IPAK and DPAK packages Features TAB TAB Order codes VDS RDS(on) max. PTOT ID 3 1 3 2 2 STB4NK60Z-1 2 1 D PAK I PAK STB4NK60ZT4 600 V 2 70 W 4 A TAB TAB STD4NK60Z-1 3 2 3 1 2 STD4NK60ZT4 1 DPAK IPAK Extremely high dv/dt

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STB4N62K3

STB4NC50 N-CHANNEL 500V - 2.2 - 4A D2PAK PowerMesh II MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STB4NC50 500V

Otros transistores... STB3N62K3, STB3NK60Z, STB40NF10, STB40NF10L, STB40NF20, STB40NS15, STB42N65M5, STB45NF06, IRF640, STB4NK60Z, STB4NK60Z-1, STB50N25M5, STB50NF25, STB55NF03L, STB55NF06, STB55NF06L, STB5N52K3