STB4N62K3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STB4N62K3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 70 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 620 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.95 Ohm

Тип корпуса: D2PAK

Аналог (замена) для STB4N62K3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STB4N62K3 даташит

 ..1. Size:801K  st
stb4n62k3 stf4n62k3 stp4n62k3 sti4n62k3.pdfpdf_icon

STB4N62K3

STB4N62K3, STF4N62K3 STI4N62K3, STP4N62K3 N-channel 620 V, 1.8 , 3.8 A SuperMESH3 Power MOSFET D2PAK, TO-220FP, I2PAK, TO-220 Preliminary data Features RDS(on) Type VDSS ID Pw max 3 3 3 1 1 STB4N62K3 70 W 2 1 D PAK STF4N62K3 25 W TO-220FP 620 V

 ..2. Size:1006K  st
stb4n62k3 std4n62k3.pdfpdf_icon

STB4N62K3

STB4N62K3 STD4N62K3 N-channel 620 V, 1.7 , 3.8 A SuperMESH3 Power MOSFET DPAK, D PAK Features Order codes VDSS RDS(on) max ID Pw STB4N62K3 620 V

 9.1. Size:726K  st
stb4nk60z-1 stb4nk60zt4 std4nk60z-1 std4nk60zt4.pdfpdf_icon

STB4N62K3

STB4NK60Z-1, STB4NK60ZT4 STD4NK60Z-1, STD4NK60ZT4 Datasheet N-channel 600 V, 1.7 typ., 4 A SuperMESH Power MOSFETs in I2PAK, D2PAK, IPAK and DPAK packages Features TAB TAB Order codes VDS RDS(on) max. PTOT ID 3 1 3 2 2 STB4NK60Z-1 2 1 D PAK I PAK STB4NK60ZT4 600 V 2 70 W 4 A TAB TAB STD4NK60Z-1 3 2 3 1 2 STD4NK60ZT4 1 DPAK IPAK Extremely high dv/dt

 9.2. Size:244K  st
stb4nc50.pdfpdf_icon

STB4N62K3

STB4NC50 N-CHANNEL 500V - 2.2 - 4A D2PAK PowerMesh II MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STB4NC50 500V

Другие IGBT... STB3N62K3, STB3NK60Z, STB40NF10, STB40NF10L, STB40NF20, STB40NS15, STB42N65M5, STB45NF06, IRF640, STB4NK60Z, STB4NK60Z-1, STB50N25M5, STB50NF25, STB55NF03L, STB55NF06, STB55NF06L, STB5N52K3