STB4N62K3 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: STB4N62K3
Маркировка: 4N62K3
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 70 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 620 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 3.8 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 14 nC
Выходная емкость (Cd): 60 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.95 Ohm
Тип корпуса: D2PAK
STB4N62K3 Datasheet (PDF)
stb4n62k3 stf4n62k3 stp4n62k3 sti4n62k3.pdf
STB4N62K3, STF4N62K3STI4N62K3, STP4N62K3N-channel 620 V, 1.8 , 3.8 A SuperMESH3 Power MOSFETD2PAK, TO-220FP, I2PAK, TO-220Preliminary dataFeaturesRDS(on) Type VDSS ID Pwmax33311STB4N62K3 70 W 21DPAKSTF4N62K3 25 WTO-220FP620 V
stb4n62k3 std4n62k3.pdf
STB4N62K3STD4N62K3N-channel 620 V, 1.7 , 3.8 A SuperMESH3 Power MOSFETDPAK, DPAKFeaturesOrder codes VDSS RDS(on) max ID PwSTB4N62K3620 V
stb4nk60z-1 stb4nk60zt4 std4nk60z-1 std4nk60zt4.pdf
STB4NK60Z-1, STB4NK60ZT4 STD4NK60Z-1, STD4NK60ZT4DatasheetN-channel 600 V, 1.7 typ., 4 A SuperMESH Power MOSFETs in I2PAK, D2PAK, IPAK and DPAK packagesFeaturesTABTABOrder codes VDS RDS(on) max. PTOT ID31322 STB4NK60Z-12 1D PAKI PAKSTB4NK60ZT4600 V 2 70 W 4 ATABTABSTD4NK60Z-132312STD4NK60ZT41DPAKIPAK Extremely high dv/dt
stb4nc50.pdf
STB4NC50N-CHANNEL 500V - 2.2 - 4A D2PAKPowerMeshII MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTB4NC50 500V
stb4nk60zx std4nk60zx stp4nk60z stp4nk60zfp.pdf
STB4NK60Z, STB4NK60Z-1, STD4NK60ZSTD4NK60Z-1, STP4NK60Z,STP4NK60ZFPN-channel 600 V - 1.76 - 4 A SuperMESH Power MOSFETDPAK - D2PAK - IPAK - I2PAK - TO-220 - TO-220FPFeaturesRDS(on) Type VDSS PW ID 332max3 1121STB4NK60Z 600 V
stb4n80.pdf
STB4NB80N - CHANNEL 800V - 3 - 4A - TO-220/TO-220FPPowerMESH MOSFETPRELIMINARY DATATYPE VDSS RDS(on) IDSTB4NB80 800 V 3.3 4 ASTB4NB80FP 800 V 3.3 4 A TYPICAL R = 3 DS(on) EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY 100% AVALANCHE TESTED VERY LOW INTRINSIC CAPACITANCES3 GATE CHARGE MINIMIZED3211DESCRIPTION D2PAK I2PAKUsing the latest high voltage
stb4nc60.pdf
STB4NC60N-CHANNEL 600V - 1.8 - 4.2A D2PAKPowerMeshII MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTB4NC60 600V
stp4nc80z stp4nc80zfp stb4nc80z stb4nc80z-1.pdf
STP4NC80Z - STP4NC80ZFPSTB4NC80Z - STB4NC80Z-1N-CHANNEL 800V - 2.4 - 4A TO-220/FP/D2PAK/I2PAKZener-Protected PowerMESHIII MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTP4NC80Z/FP 800V
stb4nb50.pdf
STB4NB50N - CHANNEL 500V - 2.5 - 3.8A - D2PAK/I2PAKPowerMESH MOSFETPRELIMINARY DATATYPE VDSS RDS(on) IDSTB4NB50 500 V
stb4nk60zt4 std4nk60zt4.pdf
STB4NK60Z, STB4NK60Z-1, STD4NK60ZSTD4NK60Z-1, STP4NK60Z,STP4NK60ZFPN-channel 600 V, 1.76 , 4 A SuperMESH Power MOSFETin DPAK, D2PAK, IPAK, I2PAK, TO-220, TO-220FPFeaturesRDS(on) Type VDSS PW ID 332max3 1121STB4NK60Z 600 V
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
